"CET4301-VB是一款P沟道SOT223封装的MOSFET,适用于负载开关和适配器开关应用,常见于笔记本电脑等设备。该器件符合RoHS指令,并经过了严格的Rg和UIS测试,确保其可靠性和安全性。"
CET4301-VB是英飞凌(Infineon)或其他类似半导体制造商生产的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它的主要特点是采用TrenchFET®技术,这是一种利用沟槽结构来提高MOSFET性能的技术,能够降低导通电阻(RDS(on)),从而在高电流应用中提供更低的功耗和更高的效率。
该MOSFET的电气特性包括:
1. **导通电阻**:在VGS=-10V时,RDS(on)为0.040Ω,而在VGS=-4.5V时,RDS(on)上升到0.048Ω。较低的导通电阻意味着在导通状态下流过器件的电压损失较小。
2. **栅极电荷**(Qg):典型值为9.8nC,表示开启或关闭MOSFET所需的电荷量,影响开关速度和功耗。
3. **绝对最大额定值**:VDS为-35V,VGS为±20V,连续漏极电流ID在不同温度下有所不同,例如在25°C时为-6.2A,在70°C时为-4.5A。
4. **脉冲漏极电流IDM**:最大值为-20A,表明器件在短时间内可以承受的峰值电流。
5. **源-漏极二极管电流IS**:在25°C时的最大值为-3.5A,表明其内置二极管的反向电流能力。
6. **雪崩能量EAS**:单脉冲雪崩能量为5mJ,表示在安全操作范围内器件能够承受的过电压能量。
在热特性方面,CET4301-VB的**最大功率耗散**在25°C时为4.2W,在70°C时降至2.7W。这些值是基于器件在特定散热条件下的温升速率,如结温至环境温度的热阻RθJA(未给出具体数值)。
此外,这款MOSFET符合IEC61249-2-21标准的无卤素要求,且符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,确保其不含六种有害物质。100%的Rg和UIS测试进一步验证了其栅极绝缘质量和防止意外击穿的能力。
在实际应用中,CET4301-VB常用于笔记本电脑等设备的负载开关和适配器开关,控制电源的通断,以实现高效能、低发热和高可靠性的电源管理。在1"x1"FR4板上进行表面贴装后,其性能参数可能会有所变化,如ID和热特性,这在设计时需要考虑进去。
CET4301-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适合在需要高速开关和低损耗的电路中使用,特别是在电子设备的电源管理部分。其出色的电气特性和严格的质量控制使其成为各种应用的理想选择。