Hynix H5PS5162FFR-S6C DDR2 SDRAM规格说明

“Hynix-内存H5PS5162FFR-S6C”是Hynix Semiconductor公司生产的一款512Mb DDR2 SDRAM内存芯片。该文档提供了一份产品概述，包括关键特性、订购信息、引脚配置、引脚描述、最大直流电平、操作条件等详细内容。此内存芯片适用于各种硬件系统，如ARM架构的处理器和行车记录仪等应用。 1. **设备特性与订购信息** - **关键特性**：H5PS5162FFR-S6C是DDR2 SDRAM系列的一部分，支持不同速度等级，如DDR2-800和DDR2-1066。这些特性使其适用于需要高速数据传输的设备。 - **订购信息**：产品型号包括H5PS5162FFR-xxC、H5PS5162FFR-xxI、H5PS5162FFR-xxL、H5PS5162FFR-xxJ，以及新推出的H5PS5162FFR-xxP和H5PS5162FFR-xxQ，其中“xx”可能代表不同的速度等级或其他定制选项。 - **订购频率**：文档中提到的订购频率可能是指产品的生产或购买频率，但具体信息未在摘要中给出。 2. **引脚配置与描述** - **引脚配置**：内存芯片的引脚布局对于正确安装和操作至关重要。它定义了数据、地址、控制信号以及电源和地线的位置。 - **引脚描述**：每个引脚的功能被详细说明，包括其作用（如DQ数据引脚、DM数据掩码、CS#片选信号等）以及在系统中的工作方式。 3. **最大直流电平** - **绝对最大直流电平**：这些是芯片可以承受的最大电压和电流值，超过了这些值可能会导致器件损坏。 - **操作温度条件**：内存芯片可以在特定的温度范围内正常工作，这包括工作温度范围和存储温度范围。 4. **直流与交流操作条件** - **直流操作条件**：提供了推荐的直流操作条件，例如SSTL_1.8标准，这是一种低电压差分信号标准，用于DDR2内存的数据线。 - **ODT(On-Die Termination)直流电气特性**：ODT是DDR2内存中的一个重要特性，用于减少信号反射并提高信号质量。 - **直流与交流逻辑输入电平**：定义了输入信号的电压阈值，包括静态直流逻辑水平和动态交流逻辑水平。 - **交流输入测试条件**：为确保正确测试和验证芯片性能，定义了输入信号的上升时间、下降时间以及脉冲宽度等参数。 这款内存芯片的详细规格和使用说明对于硬件设计师和工程师来说非常关键，他们需要根据这些信息来设计兼容的电路，确保系统的稳定性和性能。由于Hynix不承担使用说明书中电路设计的责任，用户需要自行负责设计的正确性。文档的修订历史表明，产品规格可能会随着技术发展而更新，因此在设计时应使用最新的产品资料。