半导体器件自测题解析：运算关系与晶体管应用

"该资源为模拟电子技术的学习资料，涉及半导体器件的特性、PN结、晶体管、场效应管的工作原理以及相关电路的分析和计算。" 在标题和描述中提到的知识点主要集中在模拟电子电路的基础概念和运算上，具体包括： 1. 半导体器件：N型和P型半导体的形成，通过掺杂不同类型的杂质（三价元素形成P型，五价元素形成N型）。N型半导体中的多子是自由电子，而P型半导体中的多子是空穴。 2. PN结：PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。当PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；反之，加反向电压时，空间电荷区变宽。PN结在反向击穿状态下可以作为稳压管工作。 3. 晶体管：晶体管在放大区工作时，发射结正偏，集电结反偏。集电极电流是由少数载流子的漂移运动形成的，而非多子。 4. 场效应管：结型场效应管中，栅一源电压应使耗尽层承受反向电压以保证高输入电阻。耗尽型N沟道MOS管的栅一源电压大于零时，输入电阻不会明显减小。 5. 电路分析：题目中涉及到二极管的导通电压（0.7V）及其在电路中的作用，例如电压钳位。此外，还计算了稳压管在不同电路配置下的输出电压，以及晶体管放大电路的输出电压。 6. 运算放大器：虽然未直接提及运算放大器，但描述中的"Ou"可能是指运算放大器的输出。在描述的第(1)部分，可能是在讨论两个输入（差分输入）对输出的影响。第(2)部分，给出了一个特定条件下的输出电压计算。第(3)部分，讨论了最大输出电压（±14V）和输入电压最大值与某个电阻（R2）的关系，这是确保运算放大器工作在线性区的关键。 7. 电路设计：为了保证运算放大器在输入电压最大值为mVuI10max1和mVuI20max2时仍能工作在线性区，需要计算R2的最大值。这通常涉及到运算放大器的电源电压、输入电压范围和共模抑制比等因素。 这些知识点构成了模拟电子技术的基础，涵盖了半导体材料、二极管、晶体管、场效应管的基本特性，以及它们在实际电路中的应用。理解和掌握这些概念对于进行电路设计和分析至关重要。