3B14-VB N-Channel MOSFET: 参数详解与应用指南
"3B14-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,主要特点包括卤素免费、TrenchFET®功率MOSFET技术、100%栅极电阻测试以及符合RoHS指令。这款MOSFET适用于DC/DC转换器等应用。其关键参数包括:额定漏源电压VDS为30V,当VGS=10V时的导通电阻RDS(on)为30mΩ,最大连续漏极电流ID为6.5A,栅极电荷Qg为4.5nC。此外,它还具有特定的封装限制和热性能指标。" 3B14-VB MOSFET是一款N沟道增强型MOSFET,采用小型SOT23封装,适合空间有限的应用。其主要特点包括采用了TrenchFET®技术,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上形成深沟槽结构来降低导通电阻,从而提高效率和减少发热。 该器件的额定漏源电压VDS为30V,这意味着在正常工作条件下,源极和漏极之间可以承受的最大电压为30V。RDS(on)是衡量MOSFET导通状态下的电阻,对于3B14-VB,当栅极电压VGS分别为10V和4.5V时,对应的RDS(on)分别为30mΩ和33mΩ,较低的RDS(on)意味着在导通状态下有更低的功率损耗。 连续漏极电流ID在不同温度下有所不同,最大值在25°C时为6.5A,随着温度升高,ID会有所下降。脉冲漏极电流IDM可达25A,表明在短时间内能处理较大的电流峰值。此外,内置的源漏二极管在反向偏置时能承载1.4A(25°C)的连续电流,但要注意的是,这个值在不同的温度和条件下会有所变化。 最大功率耗散PD在25°C时为1.7W,70°C时为1.1W,这决定了MOSFET能够安全散热的最大功率。为了确保器件的长期可靠性,需要考虑其工作环境的温度和散热条件,以防止过热。 3B14-VB MOSFET的绝对最大额定值包括-55到150°C的工作和存储温度范围,以及260°C的峰值焊接温度。热阻抗参数则提供了关于器件如何散热的信息,这对于设计有效的热管理方案至关重要。 3B14-VB是一款适用于电源转换、负载开关等低电压、大电流应用的高效MOSFET,其紧凑的封装、优秀的电气特性和良好的热性能使其成为许多电子设计的理想选择。在使用时,需确保满足其工作条件,并考虑适当的散热措施,以确保器件的稳定运行。
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