两级共射放大电路电压放大分析及波特图

"这篇资料涉及的是模拟电子技术中的两级共射放大电路的电压放大倍数计算和晶体管电路分析。" 在模拟电子技术中，两级共射放大电路是一种常见的放大器设计，它由两个晶体管级联组成，可以提供较高的电压增益。题目给出的电压放大倍数公式为： \[ A_v = \frac{A_{vf}}{1 + A_{vf} \cdot Z_f(j\omega)} \] 其中 \( A_{vf} \) 是第一级放大电路的电压放大倍数，\( Z_f(j\omega) \) 是第二级输入阻抗在频率 \( \omega \) 下的表达式。通过变换该公式，可以求得最终的电压放大倍数 \( um_A \)，低频截止频率 \( L_f \) 和高频截止频率 \( H_f \)。计算得到的结果分别是： \[ um_A = \frac{3}{10} \] \[ L_f = \frac{5}{H_z} \] \[ H_f \approx \frac{4}{10} \] 波特图（Bode Plot）是一种用来表示放大器频率响应的图形工具，它显示了增益和相位与频率的关系。根据题目，波特图已在解图 P5.6 中给出。 接下来的5.7部分讨论了一个电路问题，其中晶体管的参数如β（电流放大系数）、基极-发射极反向饱和电阻 \( r_{bb} \) 和迁移率 \( C_{\mu} \) 相等，所有电容容量也相等。静态时，所有晶体管的发射极电流 \( I_{EQ} \) 相等。题目要求对这些电路进行定性分析。在这种情况下，分析通常会关注电路的稳定性、增益特性以及可能的非线性行为，例如饱和和截止状态。 在半导体器件部分，我们复习了几个基础概念： 1. N型半导体掺杂三价元素变为P型半导体。 2. N型半导体的多子是自由电子，但整体呈电中性。 3. PN结在无光照和无外加电压时没有结电流。 4. 晶体管的集电极电流不只是多子漂移形成，还包括扩散运动。 5. 场效应管的栅-源电压影响其输入电阻。 6. 耗尽型N沟道MOS管的栅-源电压大于零不一定会显著降低输入电阻。 此外，题目还提供了关于PN结、稳压管、晶体管工作状态以及场效应管的一些选择题和解答，这些内容有助于深入理解半导体器件的工作原理。 这些知识点涵盖了晶体管放大电路的设计、频率响应分析和半导体器件的基本特性，是模拟电子技术学习的重要组成部分。