AOD482-SOT23-3封装100V MOSFET: 参数、规格与应用

本文档是关于一款由VBsemi公司生产的AOD482-SOT23-3封装的N沟道100V耐压MOSFET的规格书。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，具有出色的性能和可靠性。以下是对产品关键特性和参数的详细介绍： 1. **特性**： - AOD482（VBE1104N）是一款针对高功率应用设计的MOSFET，它能在175°C的结温下工作，确保了长时间的稳定运行。 - 采用低热阻包装设计，有助于散热，提高器件的效率。 2. **产品概览**： - **电压参数**：在标准条件下，V(BR)DSS（ Drain-Source Voltage）为100V，rDS(on)（ Drain-Source On-Resistance）在VGS=10V时为0.030Ω，而在VGS=4.5V时，其值为0.0Ω。 - **电流规格**：连续导通电流（TC=25°C）ID为40A，在125°C时下降至23A。脉冲漏电流（最大值）IDM为120A，而Avalanche Current（雪崩电流）IAR为35A，允许的重复雪崩能量EAR为61mJ。 - **功率参数**：在25°C环境下的最大功率损耗PD为107W，但需要注意的是，当TA=25°C时，实际散热限制可能更低。 3. **温度范围**： - 设备的操作和储存温度范围为-55°C至175°C，保证了广泛的环境适应性。 4. **热阻特性**： - Junction-to-Ambient热阻（当安装在PCB上时）为RthJA = 40°C/W，表明了良好的散热性能。 - Junction-to-Case热阻（针对Drain）为RthJC = 1.4°C/W，显示了内部热量传递效率。 5. **合规性**： - 该产品不完全符合RoHS指令，但可能存在豁免情况。在购买或使用前，应咨询制造商以了解具体的合规性信息。 6. **封装和尺寸**： - AOD482采用的是紧凑的SOT23-3封装，适合空间有限的应用场景。 总结来说，AOD482-SOT23-3封装的MOSFET是一款适用于高电压、高电流的工业级开关元件，具有优秀的热管理和宽广的工作温度范围，适用于电源管理、电机驱动等需要高效能和可靠性的电路设计中。在选择和应用时，务必注意其电流和功率限制，以及在特定环境下的散热要求。