FDMC8026S-VB:DFN8封装30V/40A MOSFET详解与应用
4 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 438KB PDF 举报
本文将深入解析FDMC8026S-VB这款DFN8(3X3)封装的N沟道MOSFET的详细特性及应用。该MOSFET采用无卤素的TrenchFET® PowerMOSFET技术,确保了环保与高效性能。以下是一些关键参数:
1. **电压规格**:
- 防止短路的栅极-源极电压(VGS)范围为±20V,确保了宽广的工作区域。
- 针对不同的温度条件,最大允许的漏极-源极电压(VDS)为30V。
2. **电流能力**:
- 在标准条件下(TJ=150°C,TC=25°C),连续漏极电流(ID)可达17.1A。
- 持续的源极-漏极二极管电流(IS)在25°C时为13A。
- 单次脉冲雪崩电流(IAS)在L=0.1mH的情况下为10A,对应的能量吸收能力(EAS)为5mJ。
3. **功率处理**:
- 最大功率耗散在25°C下为60W,但在70°C时降为30W,表明该器件需在合理散热下运行,以防止过热。
- 在不同温度条件下,热阻分析也非常重要,如热阻从junction to ambient(J-A)典型值为27°C/W,最大为34°C/W,以及junction to foot(J-F)热阻分别为6°C/W和7.5°C/W。
4. **温度范围**:
- 该MOSFET适用于广泛的温度操作和存储,从-55°C到150°C,确保了在极端环境下也能稳定工作。
5. **应用领域**:
- FDMC8026S-VB适用于多种应用场景,包括直流-直流转换、低侧开关、笔记本电脑以及游戏设备等,体现了其通用性和高性能。
6. **封装和测试**:
- 该器件是表面安装,尺寸为1"x1"FR4板,且100%进行了Rg和UISTest,确保了可靠性和稳定性。
7. **符合性**:
- FDMC8026S-VB是一款RoHS兼容产品,符合严格的环保法规要求。
FDMC8026S-VB是一款高性能、低功耗且环保的N沟道MOSFET,适用于需要高效率和紧凑设计的电子设备,特别是在DC/DC转换器、笔记本电脑电源管理和游戏系统中。使用前务必确保根据制造商提供的数据表进行正确的电流、电压和温度管理,以避免器件损坏或性能受限。
2024-01-05 上传
点击了解资源详情
2020-11-10 上传
2020-11-11 上传
2020-11-26 上传
2020-11-29 上传
2020-11-29 上传
2021-08-29 上传
2021-08-29 上传
微碧VBsemi
- 粉丝: 7468
- 资源: 2476
最新资源
- C++ Qt影院票务系统源码发布,代码稳定,高分毕业设计首选
- 纯CSS3实现逼真火焰手提灯动画效果
- Java编程基础课后练习答案解析
- typescript-atomizer: Atom 插件实现 TypeScript 语言与工具支持
- 51单片机项目源码分享:课程设计与毕设实践
- Qt画图程序实战:多文档与单文档示例解析
- 全屏H5圆圈缩放矩阵动画背景特效实现
- C#实现的手机触摸板服务端应用
- 数据结构与算法学习资源压缩包介绍
- stream-notifier: 简化Node.js流错误与成功通知方案
- 网页表格选择导出Excel的jQuery实例教程
- Prj19购物车系统项目压缩包解析
- 数据结构与算法学习实践指南
- Qt5实现A*寻路算法:结合C++和GUI
- terser-brunch:现代JavaScript文件压缩工具
- 掌握Power BI导出明细数据的操作指南