FDMC2514SDC-VB：N沟道30V TrenchFET MOSFET应用于电机控制

"FDMC2514SDC-VB是一种N沟道MOSFET，采用DFN8（3x3）封装，适用于电机控制、工业应用和负载开关等场景。这款MOSFET具备低电导率、环保无卤素特性，并通过了Rg和UIS测试，符合RoHS指令要求。" FDMC2514SDC-VB是一款N沟道30V MOSFET，其主要特点包括： 1. **无卤素**：该器件遵循IEC61249-2-21定义，属于无卤素产品，符合环保要求。 2. **TrenchFET®技术**：采用TrenchFET结构，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上挖掘微型沟槽来提高MOSFET的密度和性能，降低导通电阻，从而提高效率。 3. **100% Rg和UIS测试**：Rg（栅极电荷）和UIS（雪崩能量耐受能力）测试确保了器件在工作时的安全性和可靠性。 4. **RoHS合规**：该MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，意味着它不含有限制使用的特定有害物质。 5. **应用广泛**：适合应用于电机控制、工业设备以及作为负载开关或ORing（并联开关）使用，体现了其在多种电路中的灵活性。 参数规格如下： - **额定电压（VDS）**：30V - **典型导通电阻（RDS(on)）**：33.5毫欧 - **连续漏源电流（ID）**：在不同温度下有不同的最大值，如TA=25°C时为22A，TA=70°C时为15A - **门极电荷（Qg）**：33.5nC，这影响开关速度和功耗 - **脉冲漏源电流（IDM）**：150A，适用于短时间大电流脉冲应用 - **源漏二极管连续电流（IS）**：35A，表明MOSFET内部的体二极管能承受的连续电流 - **单脉冲雪崩电流（IAS）**：20A，表示允许的雪崩电流极限 - **单脉冲雪崩能量（EAS）**：20mJ，表示雪崩能量限制 - **最大功率损耗（PD）**：在不同温度下也有不同限制，如TA=25°C时为52W，TA=70°C时为33W 此外，该MOSFET的绝对最大额定值和热特性也非常重要： - **漏源电压（VDS）**：30V，超过这个值可能会损坏器件 - **栅源电压（VGS）**：±20V，确保正确操作 - **结温范围（TJ，Tstg）**：-55至150°C，超出这个范围可能导致器件性能下降或损坏 FDMC2514SDC-VB是一款高性能、环保的N沟道MOSFET，适用于需要高效、可靠开关操作的各种应用。它的低RDS(on)、小尺寸封装以及对环境友好的特性使其成为各种工业和电子设计的理想选择。