SI4850DY-T1-E3-VB：60V N沟道SOP8封装低功耗同步整流MOSFET

SI4850DY-T1-E3-VB是一款高性能的N沟道SOP8封装MOSFET，由TrenchFET®技术制造，专为低侧同步整流器应用优化设计。该器件具有以下主要特性： 1. **环保材料**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，体现了对环保的重视。 2. **沟槽场效应晶体管**（Trench FET）：采用先进的沟槽结构，提供了高效能和低导通电阻（RDS(on)）。 3. **电压与电流规格**： - 驱动源电压（VDS）：60V，确保了器件在高电压条件下仍能稳定工作。 - 集电极-源极电压（VGS）：支持±20V的宽范围，适应不同电路需求。 - 连续漏极电流（ID）： - 在室温（TJ=25°C）下，最大值为7.6A。 - 在70°C时，略有下降至6.1A或4.8A，具体取决于温度限制。 - 脉冲漏极电流（IDM）：25A，保证了在短时间脉冲下的过载能力。 - 持续源极-漏极二极管电流（IS）：在25°C下约为4.2A，随温度升高而减小。 4. **安全与耐受**： - 阳极击穿电流（IAS）：15A，提供了一定的过载保护。 - 单次脉冲雪崩能量（EAS）：11.2mJ，确保了设备在瞬态条件下的安全性。 - 最大功率损耗（PD）：在25°C时为5W，随着温度升高有所降低。 5. **热性能**： - 操作和存储温度范围（TJ, Tstg）：-55°C到+150°C，确保了广泛的环境适应性。 - 热阻参数（Sy）：表格中未给出具体的热阻值，但这是衡量散热效率的重要指标。 这款MOSFET适用于CCFL逆变器等应用，特别适合低功耗且需要高效率的电路设计。由于它是SOP8封装，适合表面安装，且需要注意的是，其包装可能有限制，并推荐在1"x1"FR4板上表面安装，测试条件为10秒，且在稳态下最大允许的功率密度为85°C/W。在选择和使用时，请务必参考产品手册中的极限参数和注意事项。