镁光MT29F512G08CUCABH3-10：256GB MLC NAND Flash Memory Manual with ...

本文档是镁光公司(Micron Technology)的MT29F512G08CUCABH3-10 NAND Flash Memory的手册，主要介绍了该型号闪存芯片的技术特性、接口兼容性以及性能指标。MT29F512G08C系列闪存采用开放型NAND Flash Interface (ONFI) 3.0标准，支持多级细胞(MLC)技术，提供了高密度存储选项，包括128GB、256GB、512GB和1TB。 在组织结构上，每个页面大小为17,600字节，由16,384字节的数据区和额外的1,216字节的保留区组成。块大小为512页，涵盖了8192KB和608KB的数据区域。每个设备包含两个平面，每个平面有1024个块。不同容量版本的块数量对应不同，例如128GB有2048块，1TB则有16,384块。 内存接口性能方面，MT29F512G08C支持多种模式，包括NV-DDR2，时钟速度可达6ns，提供高达333 MT/s的读写吞吐量；NV-DDR模式下，时钟速度为10ns，性能稍低但仍然达到200 MT/s；异步模式下，具有最低的tRC/tWC（读操作/写操作周期）值，为20ns，对应50 MT/s的读写速度。阵列操作性能方面，最大读取一页的时间为115微秒，典型程序页面时间1600微秒，而擦除一块数据的典型时间为3毫秒。 供电需求方面，该闪存工作电压范围宽广，VCC（电源电压）为2.7至3.6伏特，VCCQ（备用电源电压）为1.7至1.95伏特。它采用了ONFI NAND Flash协议作为基本命令集，并且支持高级功能，如程序缓存、顺序和随机读取缓存、一次性编程(OTP)模式以及多平面技术。 MT29F512G08CUCABH3-10是一款高性能的NAND Flash Memory，适用于各种需要快速、高效数据存储的应用场景，其灵活的接口兼容性和丰富的高级功能使其在现代电子设备设计中占据重要地位。