NTZD5110NT1G-VB：60V双N沟道MOSFET技术规格

"NTZD5110NT1G-VB是一种双N沟道60V MOSFET，采用SC75-6封装，适用于便携式设备的电源切换、驱动器、电池操作系统和电源转换电路等应用。" NTZD5110NT1G-VB是一款由VB公司生产的高性能MOS场效应晶体管，它采用了TrenchFET技术，这种技术使得器件具有更低的导通电阻和更高的效率。TrenchFET是通过在硅片上刻蚀出深沟槽结构来实现的，它能够减小晶体管的表面积，从而降低其导通电阻，提高开关性能。 该器件的主要特点包括： 1. 100%的栅极电阻测试，确保了每个单元的稳定性和一致性。 2. 栅源静电放电保护，能承受1000V的ESD冲击，增强了在使用和处理过程中的安全性。 NTZD5110NT1G-VB被设计用于多种应用领域，如： 1. 便携式设备的负载或电源切换，例如手机、平板电脑等设备的电源管理。 2. 驱动器，如继电器、电磁阀、照明设备、锤式驱动器以及显示屏的控制。 3. 电池供电系统，适合于需要高效能源管理的设备。 4. 电源转换电路，包括DC-DC转换器和线性稳压器。 在电气参数方面，NTZD5110NT1G-VB的额定参数如下： - 最大漏源电压(VDS)为60V，能承受较高的电压波动。 - 栅源电压(VGS)的最大值为±12V，保证了良好的栅极控制能力。 - 在25°C时，连续漏极电流(ID)最大为0.3A，而在70°C时，这一数值降为0.25A。 - 脉冲漏极电流(IDM)的最大值为2A，允许短暂的大电流脉冲。 - 持续源漏二极管电流(IS)在25°C时为0.18A。 - 在25°C下最大功率耗散(PD)为0.22W，70°C时则降至0.14W。 - 工作和存储温度范围为-55至150°C，适应宽温环境。 热特性方面，器件的最大结到环境的热阻(RthJA)在短时间（t≤5s）内典型值为470°C/W，最大值为565°C/W；而在稳态下，典型值为560°C/W，最大值为675°C/W。 NTZD5110NT1G-VB的封装形式为SC-89，这是一种小型表面贴装封装，适用于高密度电路板布局。其引脚排列包括D1、D2、G1、G2、S1和S2，便于在电路设计中进行布局和连接。 NTZD5110NT1G-VB是一款高性能、紧凑型的双N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低功耗和良好热管理的电子应用。