NTZD3155CT2G-VB：环保N/P沟道SC75-6封装MOSFET，高耐压与性能参数详解

NTZD3155CT2G-VB是一种高性能的N+P沟道SC75-6封装Trench FET（沟槽型场效应晶体管）功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET具有环保特性，符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，且符合RoHS指令2002/95/EC的要求，确保了电子设备的环保与安全。 该器件的主要特性包括： 1. **电压规格**： - N-Channel（N型沟道）：VDS最大可达20V，当VGS为4.5V时，RDS(on)为0.270Ω；在VGS为2.5V时，其持续导通电流ID为0.60A。 - P-Channel（P型沟道）：VDS范围为-20V至0V，RDS(on)在-0.30Ω到-0.25Ω之间。 2. **电流规格**： - N-Channel：连续工作电流ID（TJ=150°C）在TA=25°C下为0.6A，而在TA=70°C时降为0.55A。 - P-Channel：脉冲电流限制IDM为3A（N型）和-2A（P型），源电流IS为1.05A（N型）和-1.05A（P型）。 3. **热性能**： - PD（最大功率损耗）：在TA=25°C时为1.15W，而在TA=70°C时为0.73W。 - 温度范围：工作结温度TJ和存储温度Tstg为-55°C至150°C。 - 热阻：Junction-to-Ambient（结温至环境）典型值为93°C/W，最大值为110°C/W；Junction-to-Lead（结温至引脚）的稳态热阻分别为75°C/W和90°C/W。 4. **封装及应用**： - 使用SC75-6封装，适合表面安装在FR4板上，且短路时间限制为5秒以内。 这些参数表明NTZD3155CT2G-VB是一款适用于高电压、大电流的开关应用的MOSFET，特别适合于那些对低功耗、环保要求较高的电子设备设计，如电源管理、电机控制、功率转换等领域。设计者在使用时需注意其工作温度限制和瞬态电流能力，以确保电路的可靠性和稳定性。