FU9024N-VB: 60V P沟道TO251封装高性能MOSFET

FU9024N-VB是一种高性能的P沟道TrenchFET® PowerMOSFET，它采用TO251封装，专为负载开关等应用设计。这款MOSFET具有以下主要特点： 1. **特性：** - TrenchFET结构，提供优秀的开关性能和高温下的可靠性。 - 100% UISTested，确保了产品的高质量和一致性。 - 高电压耐受，最大Drain-Source Voltage (VDS) 达到-60V。 - 能承受宽广的 Gate-Source Voltage (VGS) 范围，从-20V到+20V。 2. **应用领域：** - 主要应用于需要高效率、低损耗的负载切换电路中，如在电源管理或电机控制等场合。 3. **电气参数：** - 在典型工作条件下（TJ=25°C），允许的连续Drain Current (ID) 为-20A，而在较高温度下（如70°C）会有所下降。 - Pulsed Drain Current (IDM) 较大，可处理短时间的峰值电流。 - 单脉冲雪崩电流 (IAS) 和单脉冲雪崩能量 (EAS) 安全限制也得到了明确。 - 有连续源-漏电流 (IS) 的限制，即使在高温下也有一定的电流处理能力。 4. **热性能：** - 最大功率损耗 (PD) 在25°C时为35W，随着环境温度升高，允许的最大功率会降低。 - 提供了Junction-to-Ambient (热阻RthJA) 和 Junction-to-Case (热阻RthJC) 的典型和最大值，有助于散热设计。 5. **温度范围：** - FU9024N-VB适用于广泛的温度工作范围，从-55°C至150°C，包括操作温度和储存温度。 6. **封装与安装：** - 该器件是表面安装，适合1"x1" FR4 板。 7. **注意事项：** - 所有数据基于25°C的工作条件，实际应用中可能需考虑温度变化的影响。 这款FU9024N-VB P沟道TO251封装MOSFET因其高效的开关性能、宽泛的电压和电流规格以及良好的热管理，为设计工程师提供了强大的工具来构建高可靠性和高效率的电力电子系统。在选择和使用此类元件时，需仔细考虑其限制条件并确保适当的散热措施。