3LPG-SOT23-3-VB:P-Channel MOSFET特性与应用
"3LPG-SOT23-3-VB是一款由VBsemi生产的P-Channel沟道MOSFET,适用于SOT23封装,具有60V的最大耐压和-0.5A的连续漏电流。其关键特性包括低导通电阻(RDS(ON) = 3000mΩ@VGS=10V或20V),负阈值电压Vth约为-1.87V,快速切换速度(20ns典型值),低输入电容(20pF典型值),并且符合RoHS指令。这款器件适用于高侧切换应用,且设计为无卤素,采用TrenchFET技术,提高了能效和可靠性。" 3LPG-SOT23-3-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要特征包括: 1. **无卤素设计**:符合IEC61249-2-21标准,确保环保。 2. **TrenchFET技术**:使用沟槽结构,减小了芯片尺寸,降低了导通电阻,从而提高了能效。 3. **高侧切换**:适合在电源管理电路中用作高侧开关,可以控制负载的电源通断。 4. **低导通电阻**:在VGS=10V或20V时,RDS(ON)仅为3000mΩ,这有助于在导通状态下减少功率损耗。 5. **负阈值电压**:Vth=-1.87V,意味着在较低的栅极电压下即可开启MOSFET,便于控制。 6. **快速切换**:20ns的典型开关速度,适用于需要快速响应的应用场景。 7. **低输入电容**:20pF的典型输入电容,有利于提高开关性能和降低高频噪声。 8. **RoHS兼容**:符合欧盟的RoHS指令,不含限制使用的有害物质。 9. **绝对最大额定值**: - **漏源电压(VDS)**:-60V,确保在高电压环境下工作安全。 - **栅源电压(VGS)**:±20V,保证了栅极驱动的安全范围。 - **连续漏电流(ID)**:在25°C时为-500mA,在100°C时为-350mA。 - **脉冲漏电流(IDM)**:在25°C时为-1500mA,短时过载能力较强。 - **功耗(PD)**:在25°C时为460mW,在100°C时为240mW。 10. **热特性**:最大结壳热阻(RthJA)为350°C/W,工作和储存温度范围为-55到150°C。 这款MOSFET适用于需要高效、快速切换、低功耗特性的电路设计,例如在电池管理系统、开关电源、电机控制、LED驱动等领域都有可能应用。其小巧的SOT23封装也使得它易于集成到紧凑的电子设备中。用户可以通过VBsemi的服务热线400-655-8788获取更多信息和支持。
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