FDT86113LZ-VB-MOSFET：100V N沟道高性能解析

本文档详细介绍了FDT86113LZ-VB-MOSFET这款高性能N沟道功率MOSFET器件。该产品采用先进的沟槽场效应管技术(Trench FET)，具备环保特性，符合IEC 61249-2-21标准以及RoHS指令2002/95/EC。其主要特点包括： 1. **特性**： - 无卤素：符合国际电工委员会关于电子设备无卤化物的标准。 - 工作温度高达175°C，适合高温环境下的应用。 - 芯片表面安装在1英寸x1英寸FR4基板上。 2. **产品概述**： - 驱动电压范围：VDS为100V，允许的RDS(on)值在10V时为100mΩ，4.5V时为120mΩ。 - 最大连续漏极电流：在室温下，ID为5.0A（TJ=175°C），70°C时降为3.5A。 - 过载能力：提供25A的脉冲电流，单次脉冲雪崩能量为11mJ。 3. **功率参数**： - 在25°C下，最大功率损耗为3.3W，70°C时降为2.3W。 - 操作和存储温度范围：-55°C至175°C。 4. **热性能**： - 热阻特性良好，最大Junction-to-Ambient热阻（RthJA）典型值为36°C/W，持续状态下的RthJF为17°C/W。 - 提供了不同时间尺度下的热阻数据，如瞬态和稳态情况。 5. **封装类型**： - 使用SOT-223封装，封装结构包括G、D、S引脚。 6. **购买支持**： - 产品由VBsemi公司提供，附带客户服务热线400-655-87，以提供技术支持和疑问解答。 这款FDT86113LZ-VB-MOSFET是一款适用于高电压、大电流开关应用的理想选择，特别是在对散热、可靠性和环保有较高要求的工业自动化、电源管理或电机控制等系统中。设计者在选择或评估此类器件时，应充分考虑其工作电压、电流能力、温度限制以及热性能，确保电路的稳定性和安全性。