NTD4860NT4G-VB：高性能N沟道MOSFET规格详解

"NTD4860NT4G-VB是一款N沟道30V MOSFET，属于TrenchFET® PowerMOSFET技术，适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等应用。产品特点包括100%的Rg和UIS测试，并符合RoHS指令2011/65/EU。" NTD4860NT4G-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于电源管理中的各种任务。其主要特性包括： 1. **TrenchFET® 技术**：这种技术利用沟槽结构，使得MOSFET的栅极面积更大，从而在相同尺寸下实现更低的导通电阻(RDS(on))，提高效率。 2. **100% Rg 和 UIS 测试**：Rg测试确保了门极电阻的一致性和可靠性，UIS测试则验证了器件在过电压条件下的稳定性，这使得NTD4860NT4G-VB适合在可能出现高瞬态电压的环境中使用。 3. **RoHS合规性**：该产品符合欧盟的RoHS指令2011/65/EU，意味着它不含六价铬、铅、汞、镉等有害物质，符合环保要求。 4. **应用领域**：NTD4860NT4G-VB适用于OR-ing电路，可以并联多个电源以提供冗余或增加电流能力；在服务器中，它可以作为电源开关或控制元件；在DC/DC转换器中，它的低RDS(on)特性有助于降低损耗，提升转换效率。 5. **规格参数**： - **最大漏源电压 (VDS)**：30V，保证了器件在规定电压下工作时的安全性。 - **典型导通电阻 (RDS(on))**：在VGS=10V时，RDS(on)为0.005Ω，这代表了低功耗性能。 - **连续漏极电流 (ID)**：在不同温度下，ID的最大值不同，如25°C时为25.8A，70°C时为22A。 - **脉冲漏极电流 (IDM)**：最大脉冲漏极电流为250A，表明了器件承受瞬时大电流的能力。 - **雪崩能量 (EAS)**：最大单脉冲雪崩能量为94.8mJ，意味着它可以在安全范围内承受一定的雪崩击穿。 6. **热特性**：NTD4860NT4G-VB具有良好的热性能，如25°C下最大功率耗散(PD)为205W，但随着温度升高，PD会下降。此外，它给出了不同条件下的热阻数据，帮助用户计算在特定环境下的温升。 综合这些特性，NTD4860NT4G-VB是一款适用于高效率、高可靠性的电源解决方案，特别是在对低RDS(on)和瞬态电压抗扰度有高要求的场合。