WPM3407-VB P沟道MOSFET在移动计算中的应用与特性分析
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更新于2024-08-03
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"WPM3407-VB是一款P沟道、30V的SOT23封装MOSFET,适用于移动计算设备,如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器。它采用TrenchFET技术,具有100%Rg测试,确保了产品的可靠性能。其主要参数包括低导通电阻(RDS(on)),快速开关特性和小尺寸封装,适合在空间有限的应用中使用。"
WPM3407-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),工作在30伏特的最大漏源电压(VDS)下。其特性之一是采用了TrenchFET技术,这是一种深度沟槽结构,可以减小芯片面积,提高开关速度,同时降低导通电阻,从而在运行时减少功率损耗。这种技术使得WPM3407-VB适用于需要高效能和紧凑尺寸的场合。
在不同的栅源电压(VGS)下,WPM3407-VB的典型导通电阻有所不同,例如,在VGS=-10V时,RDS(on)为0.046欧姆,而在VGS=-4.5V时,RDS(on)上升至0.054欧姆。较低的导通电阻意味着在导通状态下流过电流时产生的压降较小,因此可以提高效率。
该器件的最大连续漏极电流(ID)在不同温度下也有变化,例如,在25°C时为-5.6A,而70°C时则降至-4.3A。这意味着在高温环境下,器件的电流承载能力会有所下降,设计时需要考虑到这一点。此外,WPM3407-VB的栅极电荷(Qg)为11.4nC,这代表了开关操作时所需的控制能量,较低的Qg有助于更快的开关速度和更低的开关损耗。
WPM3407-VB采用SOT23封装,这是一个小型表贴封装,适用于高密度电路板布局。尽管体积小巧,但其最大功率耗散(PD)在25°C时可达到2.5W,但在70°C时降至1.25W,说明随着温度升高,散热能力会降低。
绝对最大额定值包括-30V的漏源电压,±20V的栅源电压,以及不同条件下的最大连续漏极电流和脉冲漏极电流。此外,连续源漏二极管电流(IS)和瞬态最大功率耗散也受到限制,以防止器件过热或损坏。
在热性能方面,WPM3407-VB的结壳热阻(θJC)和结储热阻(θJA)对于评估其在实际应用中的热管理至关重要。这些值通常会影响到器件的长期稳定性和可靠性。
总结来说,WPM3407-VB是一款高性能、小尺寸的P沟道MOSFET,适合在移动计算设备等对效率和空间有严格要求的领域中使用。设计人员在使用时应考虑其温度依赖性,确保合适的散热措施,并利用其低RDS(on)和快速开关特性来优化电源管理电路。
2024-07-04 上传
2023-10-14 上传
2024-07-03 上传
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