WPM2015-3/TR-VB SOT23封装MOSFET：-20V，4.5V/57mΩ，-2.5V/83mΩ 参数详解

本文档主要介绍了WPM2015-3/TR-VB型号的P沟道MOSFET，该器件采用SOT23封装，特别适合在-20V的电源电压下工作，具有较高的开关性能和较低的导通电阻。以下是一些关键参数的详细解读： 1. **基本参数**: - **封装类型**: SOT-23，这是一种紧凑型封装，适合于小型电路板空间有限的应用。 - **最大漏源电压(VDS)**: -20V，确保了器件在高压环境下仍能稳定运行。 - **导通电阻(RDS(ON))**: - 在4.5V的栅极电压下，RDS(ON)为57mΩ，显示出良好的低阻抗特性。 - 在2.5V栅极电压时，RDS(ON)增加到83mΩ，但依然保持在可接受范围内。 2. **电流特性**: - **持续漏极电流(ID)**: - 在标准条件下(TC=25°C)，当VGS=-10V时，ID的最大值为0.035A。 - 随着栅极电压降低，如VGS=-4.5V时，ID达到0.043A，而在-2.5V时进一步增加至0.061A。 - **最大脉冲漏极电流(IDM)**: 在短时间内，器件能承受高达-18A的峰值电流，这对于短时间大电流脉冲操作很重要。 3. **热性能**: - **功率耗散(PD)**: 在25°C环境温度下，最大功率耗散为2.5W，而70°C时降低到1.6W，表明器件有良好的散热设计。 - **热阻抗**: - RthJA（Junction-to-Ambient，晶粒与环境之间的热阻）典型值为75°C/W，最大值为100°C/W，说明在正常使用情况下散热性能良好。 - RthJF（Junction-to-Foot，晶粒与底座之间的热阻）也提供了40°C/W的典型值和50°C/W的最大值，有助于防止过热。 4. **特点与优势**: - **环保特性**: 该MOSFET符合卤素免费标准，符合RoHS规范，适合对环保要求高的应用。 - **封装和安装**: 表明器件已表面安装在1"x1" FR4板上，便于集成和小型化设计。 5. **工作温度范围**: - 操作和储存温度范围是-55°C到+150°C，确保了器件在各种环境下的稳定运行。 WPM2015-3/TR-VB是一款高性能、低功耗的P沟道MOSFET，适用于需要高效率和紧凑封装的电子应用，特别是在电压控制和功率处理方面具有良好的表现。设计者在选择和应用这款MOSFET时，应考虑其电流能力、热管理需求以及工作温度范围，确保在实际应用中能够充分发挥其优势。