WPM2015-3/TR-VB SOT23封装MOSFET:-20V,4.5V/57mΩ,-2.5V/83mΩ 参数详解
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更新于2024-08-03
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本文档主要介绍了WPM2015-3/TR-VB型号的P沟道MOSFET,该器件采用SOT23封装,特别适合在-20V的电源电压下工作,具有较高的开关性能和较低的导通电阻。以下是一些关键参数的详细解读:
1. **基本参数**:
- **封装类型**: SOT-23,这是一种紧凑型封装,适合于小型电路板空间有限的应用。
- **最大漏源电压(VDS)**: -20V,确保了器件在高压环境下仍能稳定运行。
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 在4.5V的栅极电压下,RDS(ON)为57mΩ,显示出良好的低阻抗特性。
- 在2.5V栅极电压时,RDS(ON)增加到83mΩ,但依然保持在可接受范围内。
2. **电流特性**:
- **持续漏极电流(ID)**:
- 在标准条件下(TC=25°C),当VGS=-10V时,ID的最大值为0.035A。
- 随着栅极电压降低,如VGS=-4.5V时,ID达到0.043A,而在-2.5V时进一步增加至0.061A。
- **最大脉冲漏极电流(IDM)**: 在短时间内,器件能承受高达-18A的峰值电流,这对于短时间大电流脉冲操作很重要。
3. **热性能**:
- **功率耗散(PD)**: 在25°C环境温度下,最大功率耗散为2.5W,而70°C时降低到1.6W,表明器件有良好的散热设计。
- **热阻抗**:
- RthJA(Junction-to-Ambient,晶粒与环境之间的热阻)典型值为75°C/W,最大值为100°C/W,说明在正常使用情况下散热性能良好。
- RthJF(Junction-to-Foot,晶粒与底座之间的热阻)也提供了40°C/W的典型值和50°C/W的最大值,有助于防止过热。
4. **特点与优势**:
- **环保特性**: 该MOSFET符合卤素免费标准,符合RoHS规范,适合对环保要求高的应用。
- **封装和安装**: 表明器件已表面安装在1"x1" FR4板上,便于集成和小型化设计。
5. **工作温度范围**:
- 操作和储存温度范围是-55°C到+150°C,确保了器件在各种环境下的稳定运行。
WPM2015-3/TR-VB是一款高性能、低功耗的P沟道MOSFET,适用于需要高效率和紧凑封装的电子应用,特别是在电压控制和功率处理方面具有良好的表现。设计者在选择和应用这款MOSFET时,应考虑其电流能力、热管理需求以及工作温度范围,确保在实际应用中能够充分发挥其优势。
2024-07-03 上传
2023-11-07 上传
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