FDS3692-NL-VB：100V N沟道MOSFET，适用于开关应用

"FDS3692-NL-VB是一款N沟道的MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源开关等应用。这款器件符合RoHS指令，并且无卤素，具有极低的Qgd值以减少切换损耗，同时经过了100%的Rg和雪崩测试，确保其可靠性。其绝对最大额定值包括100V的源漏电压（VDS）、±20V的栅源电压（VGS），以及在不同温度下的连续和脉冲漏电流。此外，它还具有特定的热特性，如最大功率耗散和结温范围。" FDS3692-NL-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其核心特点是采用了SOP8封装，这种封装方式紧凑且易于在电路板上安装。作为一款100V的MOSFET，它设计用于处理高压环境下的电子开关任务，例如用作电源系统中的主侧开关。其关键特性之一是极低的Qgd（栅极电荷到漏极电荷的乘积），这显著降低了开关过程中的能量损失，提高了效率。 该器件按照IEC61249-2-21标准被定义为无卤素产品，符合环保要求，同时遵循RoHS（有害物质限制）指令2002/95/EC，意味着它不含铅和其他有害物质。此外，每个FDS3692-NL-VB都经过100%的栅极电阻（Rg）测试和100%的雪崩测试，确保其在极端条件下的稳定性和耐用性。 在电气参数方面，该MOSFET的最大源漏电压（VDS）为100V，能够承受高电压冲击。栅源电压（VGS）的典型值为±20V，确保了良好的开关性能。连续漏电流（ID）随着温度的升高而降低，例如在25°C时可达到9A，而在70°C时降至6A。脉冲漏电流（IDM）最大为40A，表明其在短时间内的峰值电流处理能力。此外，还有3.8A的连续源漏二极管电流（IS）和30A的单脉冲雪崩电流（IAS）。 在热特性方面，FDS3692-NL-VB的最大功率耗散（PD）在25°C时为14W，在70°C时为5W，这些数值受结温和环境温度的影响。此外，器件的工作和存储温度范围为-55°C至150°C，保证了其在宽温范围内的可靠工作。 FDS3692-NL-VB是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，适用于需要高速切换和低功耗的电源管理应用，如开关电源、直流电机驱动、电池管理系统等。其优秀的电气特性和严格的测试程序确保了在实际应用中的稳定表现和长期稳定性。