英飞凌650V CoolMOS CFD7A MOSFET 芯片中文规格书

"IPBE65R230CFD7A是INFINEON英飞凌推出的一款650V CoolMOS CFD7A系列的汽车级功率MOSFET芯片，具备内置快速体二极管。这款芯片在2020年4月发布了最终数据手册，适用于D²-PAK 7引脚封装。" 本文档详细介绍了IPBE65R230CFD7A MOSFET芯片的关键特性与优势，它是一款专为汽车行业设计的高电压功率器件，以其高质量、高可靠性和创新技术著称。以下是该芯片的主要特点： 1. **集成快速体二极管**：该MOSFET集成了一个快速体二极管，提供超低的反向恢复电荷（Qrr），这使得在开关过程中能量损失减少，提高了效率。 2. **卓越的性能指标**：IPBE65R230CFD7A具有市场上最低的RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss乘积，这意味着在导通电阻和开关损耗方面达到了最优平衡，降低了整体系统功耗。 3. **100%雪崩测试**：所有芯片都经过了严格的雪崩测试，确保了在极端工作条件下的安全性与稳定性。 4. **kelvin源接触**：提供kelvin源接触选项，可降低信号传输中的热噪声，提高测量精度，尤其在高速开关应用中。 5. **最佳类别的RDS(on)**：无论是在表面贴装设备（SMD）还是通孔直插式（THD）封装中，IPBE65R230CFD7A的导通电阻均为同类产品中的最佳，进一步提升了其在高功率应用中的表现。 6. **优化高电池电压应用**：由于改进的技术，这款芯片特别适合处理高达475V的电池电压，适应了电动汽车和其他高电压应用的需求。 7. **ZVS相移全桥和LLC谐振拓扑**：IPBE65R230CFD7A适合用于功率因数校正（PFC）以及零电压开关（ZVS）的相移全桥和LLC谐振转换器等拓扑结构，体现了其在电源转换领域的广泛适用性。 这些特性使得IPBE65R230CFD7A成为汽车电子、电力转换和能效优化领域的理想选择，特别是在需要高电压处理能力和高效能转换的场景下。通过集成的快速体二极管和优化的电气参数，该芯片能够帮助设计师实现更紧凑、更高效的设计，同时保持必要的耐用性和安全性。