ISL9N310AD3ST-VB MOSFET:技术特性与应用解析
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更新于2024-08-03
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"ISL9N310AD3ST-VB是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET,适用于30V工作电压,具备低导通电阻(RDS(ON)),在10V栅极电压下为10mΩ,4.5V栅极电压下为11mΩ,适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换等应用。这款MOSFET符合RoHS指令2011/65/EU,确保环保无铅。其主要特点包括100%的Rg和UIS测试,以及采用TO252封装。"
ISL9N310AD3ST-VB MOSFET的主要特性包括:
1. TrenchFET技术:采用TrenchFET结构,这种技术通过在硅片上刻蚀出深沟槽来提高MOSFET的密度和性能,从而实现更低的导通电阻和更小的封装尺寸。
2. 低导通电阻:在10V的栅极电压下,RDS(ON)仅为10mΩ,这表明当MOSFET导通时,它在通道中的电阻非常小,能有效降低导通状态下的功率损失。
3. 安全操作区(SOA)测试:100%的Rg和UIS测试确保了器件在各种工作条件下的可靠性,避免短路和过压情况。
4. 应用广泛:适合于OR-ing电路,服务器电源管理,以及DC/DC转换器等高效率电源应用。
5. 环保合规:符合RoHS指令2011/65/EU,不含铅且符合环保要求。
6. 工作温度范围广:操作和存储温度范围为-55°C至175°C,适应不同环境条件。
技术参数包括:
- VDS:最大漏源电压为30V,保证了在额定工作条件下器件的安全性。
- RDS(on):在10V和4.5V的栅极电压下,导通电阻分别为10mΩ和11mΩ,低RDS(on)有利于减少开关损耗。
- ID:连续漏电流在25°C时为60A,在70°C时为22A,随着温度升高而降低。
- Qg:总栅极电荷在10V和4.5V下分别为1nC,影响开关速度。
- 绝对最大额定值如连续漏电流ID、脉冲漏电流IDM、雪崩电流IAS和单脉冲雪崩能量EAS等,都是确保器件在极端条件下的安全运行。
此外,热特性如结壳热阻和最大功率耗散也非常重要。在25°C和70°C下,器件的最大功率耗散分别为205W和135W,而结壳热阻则影响器件的散热效率,进而影响其长期稳定运行。
总结,ISL9N310AD3ST-VB MOSFET以其低导通电阻、优异的开关特性和广泛的温度适应性,成为电源管理应用的理想选择。其设计考虑了效率、可靠性和环保要求,是高效能系统设计的重要组件。
2018-04-10 上传
2012-09-05 上传
2023-04-07 上传
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2023-11-30 上传
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