ISL9N310AD3ST-VB MOSFET：技术特性与应用解析

"ISL9N310AD3ST-VB是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，适用于30V工作电压，具备低导通电阻（RDS(ON)），在10V栅极电压下为10mΩ，4.5V栅极电压下为11mΩ，适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换等应用。这款MOSFET符合RoHS指令2011/65/EU，确保环保无铅。其主要特点包括100%的Rg和UIS测试，以及采用TO252封装。" ISL9N310AD3ST-VB MOSFET的主要特性包括： 1. TrenchFET技术：采用TrenchFET结构，这种技术通过在硅片上刻蚀出深沟槽来提高MOSFET的密度和性能，从而实现更低的导通电阻和更小的封装尺寸。 2. 低导通电阻：在10V的栅极电压下，RDS(ON)仅为10mΩ，这表明当MOSFET导通时，它在通道中的电阻非常小，能有效降低导通状态下的功率损失。 3. 安全操作区（SOA）测试：100%的Rg和UIS测试确保了器件在各种工作条件下的可靠性，避免短路和过压情况。 4. 应用广泛：适合于OR-ing电路，服务器电源管理，以及DC/DC转换器等高效率电源应用。 5. 环保合规：符合RoHS指令2011/65/EU，不含铅且符合环保要求。 6. 工作温度范围广：操作和存储温度范围为-55°C至175°C，适应不同环境条件。 技术参数包括： - VDS：最大漏源电压为30V，保证了在额定工作条件下器件的安全性。 - RDS(on)：在10V和4.5V的栅极电压下，导通电阻分别为10mΩ和11mΩ，低RDS(on)有利于减少开关损耗。 - ID：连续漏电流在25°C时为60A，在70°C时为22A，随着温度升高而降低。 - Qg：总栅极电荷在10V和4.5V下分别为1nC，影响开关速度。 - 绝对最大额定值如连续漏电流ID、脉冲漏电流IDM、雪崩电流IAS和单脉冲雪崩能量EAS等，都是确保器件在极端条件下的安全运行。 此外，热特性如结壳热阻和最大功率耗散也非常重要。在25°C和70°C下，器件的最大功率耗散分别为205W和135W，而结壳热阻则影响器件的散热效率，进而影响其长期稳定运行。 总结，ISL9N310AD3ST-VB MOSFET以其低导通电阻、优异的开关特性和广泛的温度适应性，成为电源管理应用的理想选择。其设计考虑了效率、可靠性和环保要求，是高效能系统设计的重要组件。