堆叠栅双栅Halo应变Si MOSFET二维模型优化与效应分析

堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种先进的微电子器件，其独特的设计在2014年由辛艳辉、刘红侠、王树龙和范小娇等人提出。这种新型器件的核心在于其创新的结构，它采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件来精确处理二维泊松方程，从而实现了对全耗尽条件下表面势和阈值电压的精确建模。相比于传统的双栅器件，堆叠栅结构的沟道内含有两个掺杂区域，这导致沟道表面势呈现出阶梯状分布，这种特性有助于提高载流子（电子或空穴）的迁移率，从而提升器件的性能。 在该研究中，作者特别关注了漏源电压对短沟道效应的影响。短沟道效应是MOSFET中的一个重要问题，随着沟道长度的减小，电子的行为受到限制，可能导致器件性能下降。通过理论分析，他们揭示了缓冲层中锗组分对阈值电压的影响，这对于优化器件设计具有实际意义。 该论文发表在《物理学报》上，引用信息为Acta Physica Sinica, 第63卷，第24期，第248502篇，同时提供了在线阅读链接和当期内容链接。论文的研究成果对于理解应变工程在Si MOSFET中的应用，以及改进器件的尺寸控制和性能提升具有重要参考价值。此外，作者还引用了其他相关的研究，如应变半导体的量子化效应、Ge-Sn合金的直接带隙和电导率特性，以及对称三材料双栅应变硅MOSFET的二维解析模型，这些都展示了作者对该领域深入而全面的研究视野。整体来看，这篇论文在应变硅器件设计和理论模拟方面作出了重要贡献，对于那些从事半导体器件研发和微电子技术研究的工程师和学者来说，是一份不可多得的技术参考资料。