2310N-VB MOSFET: SOT23封装，60V N-Channel沟道低电阻MOS场效应管详解

"2310N-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管。这款MOSFET具备60V的额定漏源电压（VDS），能承受连续4A的漏极电流（ID）在VGS = 10V时，其漏源导通电阻（RDS(ON)）为85mΩ。此外，阈值电压（Vth）在1到3V之间，适合在电池开关、DC/DC转换器等应用中使用。该器件符合IEC61249-2-21的无卤素标准，采用TrenchFET技术，并经过100%的Rg和UIS测试，确保了产品的质量和可靠性。" 详细说明： 2310N-VB MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，其设计采用了先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上形成深沟槽来提高器件的开关速度和降低导通电阻，从而实现更高的效率和更低的功耗。MOSFET的SOT23封装小巧紧凑，便于在电路板上进行表面贴装。 这款MOSFET的主要特性包括： 1. 漏源电压（VDS）为60V，这意味着它可以处理高达60V的电压差。 2. 在VGS = 10V时，RDS(ON)仅为85mΩ，这使得在低电压操作下，器件的电阻损失较低，能有效减少导通损耗。 3. Vth在1至3V之间，这使得2310N-VB在各种电压条件下都能稳定工作。 4. 持续漏极电流ID在VGS = 25°C时为4A，而在高温环境下如TJ = 70°C时，ID仍能保持在3.1A左右。 5. 器件还通过了100%的Rg和UIS测试，确保了其栅极电阻和绝缘强度的安全性。 在应用方面，2310N-VB适用于电池开关，因为它的低RDS(ON)可以减少电池供电设备的静态功耗。此外，它也是DC/DC转换器的理想选择，由于其高效性能和小尺寸封装，可以在电源管理电路中提供良好的功率转换效率。 绝对最大额定值方面，2310N-VB可以承受短暂的脉冲漏极电流IDM达到12A，而连续源漏二极管电流IS则限制在1.39A。同时，器件的最大功率损耗PD在不同温度下有所不同，以避免过热。其工作和存储的结温范围为-55到150°C，确保了在各种环境条件下的稳定工作。 总结，2310N-VB是一款集高效、可靠和小型化于一体的N-Channel沟道MOSFET，适用于需要低功耗和高效率的电子设备。其特性包括低RDS(ON)、小封装和宽泛的工作电压，使其成为电池管理、电源转换和其他需要控制电流流动的应用的理想选择。