VS23S010-1MegabitSPI接口SRAM数据手册

"VS23S010Datasheet提供了关于VS23S010这款1兆位SPI SRAM的详细规格。该芯片兼容SPI接口，支持多种操作模式，包括字节读写、顺序模式，以及单、双、四输入读写。其高速性能使得整个内存可以在短时间内填充或读取。此外，它还集成了图案发生器，并具有高工作频率，适用于单片机和嵌入式系统，特别是基于STM32-F0/F1/F2的平台。" VS23S010是一款1兆位（131,072x8位）的串行SPI静态随机存取存储器，它设计有串行和并行接口，同时集成了一种图案生成器，具备高度的灵活性和性能。该芯片可在1.5V至3.6V的宽电压范围内工作，这使其能适应各种电源条件。SPI接口兼容性意味着它可以与采用SPI协议的微控制器无缝连接。 SPI接口支持多种操作模式，包括字节读写和顺序模式。此外，VS23S010支持单线、双线和四线输入的读写操作，最高可实现快速读写，例如在四线I/O SPI模式下，整个内存可以在约262,176个周期内被填充或读取。XHOLD和XWP引脚的提供增强了接口控制能力。 除了串行接口，VS23S010还具有一个8位并行接口，简化了8080和NAND FLASH类型的接口操作。并行接口支持4字节块的顺序读写，读取和写入速度同样迅速。集成的图案发生器支持4位和2位输出模式，可以根据需求配置帧长度，并提供中断输出用于同步。 该芯片的工作频率高达36MHz（适用于SPI），对于图案生成器则超过48MHz。当图案生成器启用时，SPI接口的时钟频率可以降低到FMCLK/3MHz。8位并行接口的工作频率可达15MHz。在低功耗CMOS技术的支持下，VS23S010在1MHz时读电流仅为130μA（SO=0，TA=+25°C，VDD=3.3V），待机电流仅为35μA（TA=+25°C，VDD=3.3V），非常适合对功耗敏感的应用。 VS23S010的工业级温度范围确保了它在各种环境条件下的可靠运行。这款芯片非常适合用于需要高速缓存和复杂数据处理的嵌入式系统，尤其是那些基于STM32系列微控制器的系统，如STM32-F0/F1/F2，这些微控制器常常应用于物联网设备、消费电子产品、工业控制等领域。结合其高速性能、低功耗特性和灵活的接口选项，VS23S010是提升系统性能和效率的理想选择。