高压InAlN/GaN HEMT：非合金源极/漏极在RF电源应用

"这篇研究论文探讨了高压InAlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）在射频（RF）电源应用中的使用，特别是采用了非合金化的源极/漏极设计。该技术有望提升器件性能并优化其在射频功率放大领域的效率和稳定性。" 正文: 高压InAlN/GaN HEMT是一种先进的半导体器件，广泛应用于射频功率放大器，特别是在无线通信、雷达系统和射频能源转换等场景。这种晶体管利用InAlN和GaN两种材料的异质结构，其中InAlN作为阻挡层，GaN作为活性层，共同形成一个高效的二维电子气，从而实现高速和高电流密度的电子传输。 非合金源极/漏极设计是本文重点探讨的创新点。传统上，源极和漏极的接触通常会通过合金化过程来实现，以降低接触电阻并提高器件的电性能。然而，合金化过程可能会引入额外的缺陷和不均匀性，对器件的长期稳定性和可靠性产生负面影响。因此，非合金化技术旨在提供一种更为优化的接触方案，减少工艺复杂性，同时保持或提高器件性能。 文章可能详细分析了非合金源极/漏极的优势，如更低的接触电阻、更少的热应力以及更好的耐热性。这些改进对于提高HEMT的功率增益、降低功耗和提高工作效率至关重要。此外，非合金化接触还可能有助于减少寄生效应，如电荷注入和漏电流，这对于高压操作的HEMT尤其重要。 在射频电源应用中，高电压InAlN/GaN HEMT的性能直接影响到系统的整体效能。优化的源极/漏极接触可以增强器件的耐压能力，减少功率损失，从而提高整个系统的功率密度和效率。此外，这种设计还有助于器件在高温环境下的稳定运行，延长其使用寿命。 作者团队来自中国电子科技大学、香港大学和其它机构，他们的研究成果对理解并改进高压HEMT的制造工艺和性能提供了新的见解。根据Elsevier的作者权益政策，作者被允许在其个人网站或机构存储库上发布文章的个人版本，以便进行非商业性的研究和教育用途。 这篇论文对高压InAlN/GaN HEMT的非合金源极/漏极设计进行了深入研究，这将为射频电源应用领域带来技术进步，并可能推动相关行业的创新和发展。通过优化接触工艺，这类新型HEMT有望实现更高的效率、更强的稳定性和更广泛的适用性。