"TPC8126-VB是一款P沟道MOSFET,采用SOP8封装,适用于笔记本电脑、台式机等设备的负载开关应用。它具有无卤素、TrenchFET技术、100%栅极电阻测试以及100%UIS测试的特点。该器件在不同工作条件下的电气参数包括:漏源电压(VDS)最大为-30V,门源电压(VGS)为±20V,持续漏电流(ID)在不同温度下有所变化,最大脉冲漏电流(DM)为-40A,连续源漏二极管电流(IS)为-4.6至2.0A,雪崩电流(IAS)为-20A,单脉冲雪崩能量(AES)为20mJ,最大功率耗散(PD)在不同温度下分别为5.6W和3.6W,工作结温及存储温度范围为-55℃至150℃。此外,其热特性包括特定条件下的热阻抗数据。"
正文:
TPC8126-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其采用先进的TrenchFET技术进行制造,这种技术使得MOSFET具有更小的体积、更低的导通电阻以及更高的开关速度。该器件的SOP8封装设计意味着它适合表面贴装在1"x1"的FR4板上,便于集成到各种电子设备中。
在功能特性方面,TPC8126-VB通过了100%的栅极电阻(Rg)和不可逆雪崩击穿(UIS)测试,确保了其可靠性和稳定性。这些测试保证了在电路保护和过流条件下,MOSFET能够安全工作,避免损坏。此外,由于符合IEC61249-2-21标准,这款MOSFET是无卤素的,满足了环保要求。
在应用方面,TPC8126-VB主要用作负载开关,适用于笔记本电脑和台式机等设备,能够有效控制电源通断,同时提供高效能的电流传输。其电气参数表明,MOSFET的漏源电压(VDS)在最大值-30V时,漏极至源极的导通电阻(RDS(on))为100μΩ左右,这在低功耗和高速开关应用中是非常理想的。
对于电流处理能力,TPC8126-VB在不同温度下的连续漏电流(ID)有所不同,例如在25℃时ID为-11.6A,而在70℃时则降低到-7.7A。此外,它还能承受短时间的脉冲漏电流,最大可达-40A。连续源漏二极管电流(IS)在25℃时为-4.6A,同时具有一定的反向电流能力,可作为二极管使用。
在安全操作方面,MOSFET的最大功率耗散(PD)在25℃和70℃时分别限制为5.6W和3.6W,以防止过热。而其工作结温和存储温度范围广泛,可在-55℃至150℃之间稳定工作。
热性能是衡量MOSFET在高功率应用中表现的重要指标,虽然这里没有给出具体的热阻抗数据,但通常这些数据会指示器件如何有效地散发热量,以保持在允许的工作温度范围内。
TPC8126-VB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,适用于对效率和可靠性有严格要求的电子设备,如电脑系统。其独特的技术特点和严格的测试标准,使其成为电源管理及负载切换的理想选择。