英飞凌IPD90P03P4L-04：OptiMOS-P2 功率晶体管技术规格

"IPD90P03P4L-04是英飞凌公司生产的一款OptiMOS-P2系列的P沟道逻辑级增强模式功率晶体管。这款芯片主要用于逆向电池保护，符合AEC（汽车电子委员会）标准，并且具有较高的温度耐受性，能在175°C的环境中正常工作。它采用了绿色封装，符合RoHS规定，且通过了100%的雪崩测试。" 本文将详细介绍IPD90P03P4L-04的主要特性、最大额定值、参数规格以及热特性。 1. 特性： - P沟道逻辑级增强模式：这种晶体管在低电压下即可实现开关，适合逻辑控制应用。 - AEC合格：表明该芯片适用于汽车电子系统，满足严格的可靠性和耐用性要求。 - MSL1等级：表示湿度敏感度级别，能在高达260°C峰值再流条件下工作。 - 175°C运行温度：芯片可以在高温环境下稳定工作，提高了其在各种环境下的适应性。 - RoHS合规：采用无有害物质的绿色封装。 - 100%雪崩测试：确保芯片在过载条件下的安全性。 2. 最大额定值： - 连续漏电流（ID）：在25°C和-10V栅极电压下，连续漏电流为-90A，100°C时也是-90A。 - 脉冲漏电流：在25°C下，脉冲漏电流可达-360A。 - 峰值雪崩能量：当ID为-45A时，单脉冲雪崩能量为370mJ。 - 峰值雪崩电流：单脉冲雪崩电流为-90A。 - 栅源电压：+5V至-16V。 - 功耗：在25°C时，总功耗为137W。 - 工作和存储温度：-55°C到+175°C。 3. 参数规格： - 漏源电压（VDS）：最大值为-30V。 - 静态导通电阻（RDS(on)）：在-90A的ID下，典型值为4.1mΩ。 4. 热特性： - 结壳热阻（RthJC）：热从芯片内部到外壳的阻力，典型值为1.1K/W，这关系到芯片在高功率运行时的散热性能。 - SMD版本也有提及，但未提供具体数据。 IPD90P03P4L-04是一款高性能的P通道功率晶体管，适用于需要高耐温、低导通电阻和高可靠性要求的汽车电子应用，如电池管理系统、电源转换和保护电路等。其出色的热特性和电气性能使得它在业界内具有较高的竞争力。