FDN86246-VB MOSFET：100V N沟道TrenchFET技术适用于DC/DC转换器

"FDN86246-VB是一款N沟道的场效应晶体管，采用SOT23封装，适用于DC/DC转换器、负载开关和LCD电视的LED背光照明等应用。该MOSFET具有TrenchFET技术，确保了良好的性能和可靠性，经过100%的Rg和UIS测试。其主要参数包括100V的耐压（VDS），在不同VGS电压下的低导通电阻（RDS(on)）以及不同的电流和功率耗散能力。" FDN86246-VB是一款由Fairchild Semiconductor制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件的核心特性是采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构，降低了晶体管的表面电荷，从而实现了更低的导通电阻和更高的开关速度，有利于提高电源效率并减少发热。 在电气特性方面，FDN86246-VB的最大漏源电压（VDS）为100V，这意味着它可以承受高达100V的电压差。其导通电阻（RDS(on)）在不同的栅极-源极电压（VGS）下有所不同，例如，在VGS = 10V时，典型值为0.100Ω，而在VGS = 6V和4.5V时，RDS(on)分别为0.132Ω和0.141Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下流过器件的电流造成的压降更小，因此能降低电路的功率损耗。 这款MOSFET适合用于各种应用，如直流直流转换器，可以高效地控制电源的电压转换；作为负载开关，能够高效地开启和关闭电路；在LCD电视的LED背光照明中，它能有效地控制LED灯条的亮度。 在操作和安全规范上，FDN86246-VB具有明确的绝对最大额定值，例如，连续漏源电流（ID）在不同温度下有所不同，持续工作时最高为4.3A（25°C），脉冲工作时可达到5A。此外，还规定了连续源漏二极管电流（IS）、单脉冲雪崩电流（IAS）和单脉冲雪崩能量（EAS）的限制，以防止器件因过载或异常工作条件而损坏。最大功率耗散（PD）在不同温度下也有差异，以确保器件不会过热。 FDN86246-VB是一款适用于多种高效率、低功耗应用的MOSFET，其小型SOT23封装便于在电路板上布局，并且经过严格的测试以保证质量和稳定性。在设计电路时，工程师需要根据具体的应用需求和工作环境，合理选择和使用这款MOSFET，以确保系统的可靠性和性能。