FDN86246-VB MOSFET:100V N沟道TrenchFET技术适用于DC/DC转换器
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更新于2024-08-03
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"FDN86246-VB是一款N沟道的场效应晶体管,采用SOT23封装,适用于DC/DC转换器、负载开关和LCD电视的LED背光照明等应用。该MOSFET具有TrenchFET技术,确保了良好的性能和可靠性,经过100%的Rg和UIS测试。其主要参数包括100V的耐压(VDS),在不同VGS电压下的低导通电阻(RDS(on))以及不同的电流和功率耗散能力。"
FDN86246-VB是一款由Fairchild Semiconductor制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件的核心特性是采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构,降低了晶体管的表面电荷,从而实现了更低的导通电阻和更高的开关速度,有利于提高电源效率并减少发热。
在电气特性方面,FDN86246-VB的最大漏源电压(VDS)为100V,这意味着它可以承受高达100V的电压差。其导通电阻(RDS(on))在不同的栅极-源极电压(VGS)下有所不同,例如,在VGS = 10V时,典型值为0.100Ω,而在VGS = 6V和4.5V时,RDS(on)分别为0.132Ω和0.141Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下流过器件的电流造成的压降更小,因此能降低电路的功率损耗。
这款MOSFET适合用于各种应用,如直流直流转换器,可以高效地控制电源的电压转换;作为负载开关,能够高效地开启和关闭电路;在LCD电视的LED背光照明中,它能有效地控制LED灯条的亮度。
在操作和安全规范上,FDN86246-VB具有明确的绝对最大额定值,例如,连续漏源电流(ID)在不同温度下有所不同,持续工作时最高为4.3A(25°C),脉冲工作时可达到5A。此外,还规定了连续源漏二极管电流(IS)、单脉冲雪崩电流(IAS)和单脉冲雪崩能量(EAS)的限制,以防止器件因过载或异常工作条件而损坏。最大功率耗散(PD)在不同温度下也有差异,以确保器件不会过热。
FDN86246-VB是一款适用于多种高效率、低功耗应用的MOSFET,其小型SOT23封装便于在电路板上布局,并且经过严格的测试以保证质量和稳定性。在设计电路时,工程师需要根据具体的应用需求和工作环境,合理选择和使用这款MOSFET,以确保系统的可靠性和性能。
2023-12-19 上传
2024-04-25 上传
2024-04-25 上传
2024-04-25 上传
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