英飞凌OptiMOS P-Channel增强模式功率晶体管规格手册

英飞凌(BSO080P03S) OptiMOS™-P功率晶体管是一款高性能、低功耗的P沟道增强型MOSFET，专为各种目标应用而设计，能够在高达150°C的工作温度下稳定运行。这款芯片具有以下主要特点： 1. **特性**： - **P-Channel**：适合用于驱动负载，工作在负载电流方向。 - **Enhancement mode**：增强模式，意味着栅极电压增加时，漏极电流会相应增大。 - **Logic level**：支持逻辑电平控制，易于与数字电路集成。 - **JEDEC合格**：符合工业标准，确保了产品的可靠性和性能一致性。 - **环保特性**：无铅（Pb-free）和RoHS合规，以及无卤素（Halogen-free），满足绿色电子产品的要求。 - **ESD保护等级**：达到JESD22-A114HBM标准，能承受高水平的静电放电。 2. **电气参数**： - **连续漏极电流** (ID)：在25°C时，最大值可达-14.9A，而在70°C时略减至-11.9A。 - **脉冲漏极电流** (ID,pulse)：在25°C下，允许的峰值电流。 - **单脉冲雪崩能量** (EAS)：在-14.9A的ID和25V的RGS条件下，能够承受的单次脉冲能量为mJ级别。 - **栅极源电压** (VGS)：工作电压范围，确保了足够的栅极控制能力。 - **最大功率损耗** (Ptot)：在25°C时，典型情况下为2.5W，最大不超过1.79W。 - **温度范围**： - 操作温度 (Tj)：-55°C 至 +150°C。 - 存储温度 (Tstg)：-60°C 至 +260°C。 - **电源极电压** (VDS)：最大反向电压为-30V。 - **最大导通电阻** (RDS(on),max)：在开启状态下，最大值为8mΩ。 3. **封装和标识**： - **封装类型**：P-DSO-8封装。 - **型号标记**：BSO080P03SH，通过080P3S编码表示。 - **环保信息**：无铅和无卤素封装。 - **包装类型**：干燥包装。 - **ID参数**：最小值为-14.9A，这是连续漏极电流的一个指标。 4. **版本信息**：本规格书为第1.31版，发布日期为2010年2月10日。 BSO080P03S H INFINEON芯片是针对特定应用设计的高效能P-MOSFET，提供了良好的电流驱动能力、温度耐受性和环境适应性，是电子系统设计者在需要低功耗、小型化和高可靠性解决方案时的理想选择。在实际应用中，务必遵循产品手册中的所有参数限制和推荐的操作条件以确保最佳性能和设备安全。