KOYUELEC WMT07N10TS 功率MOSFET技术规格

"WAYON维安一级代理分销经销KOYUELEC光与电子WMT07N10TS(2).pdf" 这篇文档介绍的是KOYUELEC公司的WMT07N10TS，这是一款使用先进功率沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件设计的目标是降低导通状态下的电阻，同时保持卓越的开关性能。WMT07N10TS的主要特性包括： 1. 额定电压和电流：它能够承受的最大drain-source电压（VDS）为100V，并且在25°C环境下，连续drain电流（ID）可达6.8A。在100°C时，这个值降为4A。 2. 低导通电阻：在VGS=10V时，RDS(on)小于88mΩ，而当VGS=4.5V时，RDS(on)小于96mΩ。低的导通电阻意味着在工作时的功率损失较小，效率更高。 3. 绿色设备：该产品被标记为绿色设备，意味着它符合环保标准，可能包含低功耗和无有害物质的设计。 4. 低栅极电荷：快速开关操作得益于低栅极电荷特性，这有助于减少开关过程中的能量损耗和提高开关频率。 5. 高级高密度沟槽技术：通过使用这种技术，能够在小型封装内实现高性能和高密度的晶体管设计。 6. 100% EAS保证：设备经过100%的电气应用测试，确保了其可靠性和稳定性。 7. 绝对最大额定值：包括±20V的gate-source电压（VGS），脉冲drain电流（IDM）为28A，单脉冲雪崩能量（EAS）为5mJ，以及在25°C时的最大总功率耗散（PD）为4.2W。 8. 热特性：在25°C环境下，从结到环境的热阻（RθJA）为31°C/W，这意味着器件在高负载下能有效散热。工作和存储的温度范围为-55°C至150°C。 该器件适用于电源管理开关和DC/DC转换器等应用。在选择和使用WMT07N10TS时，设计工程师需要考虑其电气参数、热特性以及在实际电路中的工作条件，以确保器件的稳定性和系统性能。 WAYON维安作为一级代理分销商，提供KOYUELEC光与电子的WMT07N10TS，这意味着他们有官方认证的销售渠道和技术支持，可以为客户提供原装正品的元器件以及相关的技术支持服务。客户在选用此产品时，可以通过WAYON获取产品详细信息和应用指导，确保其设计项目顺利进行。