维安一级代理KOYUELEC WMB025N06LG2 功率MOSFET技术规格

"WAYON维安作为一级代理分销KOYUELEC光与电子的WMB025N06LG2产品，该产品是V5.0版本的详细技术规格文档。" WMB025N06LG2是一款60V、N沟道增强模式功率MOSFET，由WAYON采用第二代功率槽技术制造，设计重点在于降低导通电阻并保持优秀的开关性能。这款器件特别适合高效快速切换的应用场景。 主要特点包括： 1. 额定的漏源电压（VDS）为60V，连续漏极电流（ID）在25°C时可达158A，而门极-源极电压（VGS）为10V时的导通电阻（RDS(on)）小于2.8mΩ，当VGS为4.5V时，RDS(on)小于3.8mΩ，这表明其在低电阻状态下具有良好的电流传输能力。 2. 低栅极电荷特性，有助于减少开关损耗，提高系统效率。 3. 100%的EAS（额定雪崩能量）保证，确保了设备在工作时的安全性和可靠性。 4. 高速电源开关设计，支持逻辑电平输入，便于控制。 5. 极低的RDS(ON)，进一步优化了功率转换效率。 应用领域包括： 1. 直流/直流转换器，如在电源管理中用于电压转换和调节。 2. 同步整流，利用MOSFET替换二极管，提高整流效率。 绝对最大额定值（除非另有说明，否则TA=25°C）： 1. 漏源电压VDS为60V，确保了器件在正常工作条件下的稳定性。 2. 门极-源极电压VGS为±20V，防止过高的电压损坏MOSFET。 3. 在25°C时，连续漏极电流ID为158A，100°C时为100A。 4. 脉冲漏极电流IDM在特定条件下可达到632A，适合短时间高电流脉冲应用。 5. 单脉冲雪崩能量EAS为342.25mJ，表示设备能够承受的最大的单次雪崩能量而不受损。 6. 全负荷下总功率耗散（PD）在25°C时为112W，需确保散热设计能处理这个级别的功率。 热特性方面： 1. 结-壳热阻（RθJA）是衡量器件热量从内部半导体结传递到外壳的效率，具体数值未给出，但这是设计散热方案时的重要参数。 2. 结温（TJ）和储存温度范围（TSTG）为-55至150°C，确保了器件在广泛的工作和存储环境中的稳定性。 综合以上信息，WMB025N06LG2是一款高性能的功率MOSFET，适用于对效率和开关速度有高要求的电力电子系统，如电源转换和同步整流等应用。在使用时，应关注其热特性和额定值，确保系统设计符合这些参数，以实现最佳性能和寿命。