自制MOS场效应管逆变器：原理与实现

本篇文章主要介绍了MOS场效应管逆变器的自制过程，重点涵盖了逆变器的基本构成、工作原理以及关键组件的作用。首先，方波信号的产生是逆变器的基础，通过CD4069集成芯片构建了一个方波信号发生器，利用补偿电阻R1稳定振荡频率，电容C1负责电荷存储与释放，从而确定了振荡频率范围。 驱动电路部分，为了提升方波信号的电压幅度，电路使用了TR1和TR2进行电压放大，将0-5V的信号提升至0-12V，以便于有效驱动场效应管，实现电源开关功能。场效应管，尤其是增强型MOSFET，作为逆变器的核心元件，其工作原理是利用输入的电压来控制输出电流，具有高输入阻抗的特点，这使得它能精确地切换电流，实现电力转换。 文章详细解释了MOSFET内部结构，区分了耗尽型和增强型，以及N沟道和P沟道的不同类型。以N沟道为例，源极和漏极分别连接在N型半导体上，而场效应管的工作则是通过改变外部的电压（场电压）来控制内部的电流流动，这与传统三极管的输入电流控制输出电流有所不同。 文章还提及了仅含一个P-N结的二极管工作原理，以此为基础，进一步解释了MOSFET的导通机制。当对N沟道MOSFET施加正向电压时，电子从N型半导体向P型半导体移动，形成导通电流；反之，当施加反向电压时，电流截止。这种特性在逆变器中起到了至关重要的作用，确保了电路的高效运行。 总结起来，本文是一篇深入浅出的指南，涵盖了MOS场效应管逆变器从信号发生、驱动到核心元件工作的全过程，对于那些想要自制此类设备或者了解其工作原理的读者来说，提供了实用的技术指导。