FDY302NZ-NL-VB：N沟道20V MOSFET for DC/DC Converters

"FDY302NZ-NL-VB是一种N沟道的MOSFET，采用SC75-3封装，适用于智能手机、平板电脑等设备的DC/DC转换器、升压转换器和负载开关、OVP开关等应用。这款MOSFET特点是采用了TrenchFET®技术，确保了其在功率处理和效率方面的优异性能。" FDY302NZ-NL-VB MOSFET的主要特点和规格包括： 1. **TrenchFET®技术**：这是一种先进的沟槽结构MOSFET技术，它通过在硅片上蚀刻出深沟槽来提高晶体管的密度，从而降低导通电阻（RDS(on)），提升效率并减小芯片尺寸。 2. **额定电压与电流**：这款MOSFET的最大漏源电压（VDS）为20V，这意味着它能在不超过20V的电压下正常工作。同时，当栅极电压VGS=2.5V时，最大漏源导通电阻RDS(on)为1.4nΩ，这表示在导通状态下，电流通过器件时的压降较小，能有效降低功耗。 3. **应用领域**：FDY302NZ-NL-VB适用于智能手机和平板电脑的电源管理，特别是用于DC/DC转换器、升压转换器以及负载开关和OVP（过电压保护）开关，这些都需要高效、小型化的元器件。 4. **电气参数**：门极-源极电压（VGS）的最大值为±12V，连续漏极电流（ID）在不同温度下的最大值有所不同，例如在25°C时为0.7A，而在70°C时为0.6A。脉冲漏极电流（IDM）在300μs内可达到6A，而连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为0.4A。 5. **热性能**：最大结温（TJ）为150°C，而存储温度范围为-55到+150°C。器件的热阻特性是评价其散热能力的关键参数，RthJA（结到环境的热阻）在10秒内典型值为250°C/W至300°C/W，这意味着在短时间内，每增加1W的功率损耗，器件的温度会上升250至300°C。 6. **安全工作条件**：最大功率损耗（PD）在25°C时为0.5W，在70°C时为0.3W。这些限制确保了MOSFET在规定的工作环境下不会过热。 7. **焊接建议**：推荐的峰值焊接温度为260°C，以保证器件在组装过程中的可靠性。 FDY302NZ-NL-VB是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET，特别适合在便携式电子设备中进行电源管理和保护。其优化的热特性和电气参数使其成为现代电子设计中理想的开关元件。