FDY300NZ-NL-VB：N沟道20V MOSFET for DC/DC Converters

"FDY300NZ-NL-VB是一种N沟道MOSFET，采用SC75-3封装，适用于智能手机、平板电脑的DC/DC转换器、升压转换器和负载开关等应用。它是一款TrenchFET功率MOSFET，具有低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（RDS(on)）。" FDY300NZ-NL-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要设计用于需要高效能电源管理的电子设备。该器件的关键特性是其TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构，显著降低了导通电阻，从而提高了开关效率和电流处理能力。 MOSFET的规格参数如下： - 额定漏源电压（VDS）：20V，这意味着在正常操作条件下，MOSFET能承受的最大电压差为20V。 - 最大连续漏极电流（ID）：在25°C时，ID的最大值为0.7A，而在70°C时，这个值降低到0.6A，这反映了随着温度升高，MOSFET的电流承载能力会下降。 - 最大栅极-源极电压（VGS）：±12V，确保了宽泛的工作电压范围。 - 导通电阻（RDS(on)）：在VGS=2.5V时，典型值为1.4mΩ，这使得在低电压下也能保持低损耗。 - 栅极电荷（Qg）：典型值为0.39nC，这个参数影响开关速度，低Qg意味着更快的开关时间，减少了开关损耗。 此外，FDY300NZ-NL-VB还具有一定的瞬态热阻性能，最大结温至环境温度（RthJA）的典型值为250°C/W，最大值为300°C/W。这意味着在短时间内（t≤10s），当内部芯片温度（TJ）上升时，每增加1°C，外部环境温度将增加250-300°C/W。这表明该MOSFET在高热负荷时能有效散热，但长期运行应确保不超过其最大功率耗散（PD）和最大结温限制。 在应用方面，FDY300NZ-NL-VB特别适合于智能手机和平板电脑中的电源管理模块，如DC/DC转换器，用于电压提升或调节。其还适用于负载开关和过电压保护开关，这些功能对于保护设备的电路至关重要。考虑到其小尺寸的SC75-3封装，这款MOSFET能适应紧凑型电子设备的空间要求。 FDY300NZ-NL-VB是一款高性能、低损耗、尺寸小巧的MOSFET，适用于需要高效能电源转换和控制的现代电子设备。其优越的热管理和电气特性使其在便携式设备中表现出色。