液封直拉磷化铟单晶湿法腐蚀研究揭示缺陷机理

该篇论文深入探讨了液封直拉磷化铟单晶的湿法腐蚀研究，由杨瑞霞、陈爱华等学者合作完成。他们采用原位磷注入合成法，在富含磷的熔体中成功生长出磷化铟(InP)单晶体材料。研究的重点在于对掺杂硫(S)和铁(Fe)的单晶片进行腐蚀性能分析，特别是使用了一种自行配置的腐蚀液，即CH(CrO3/HBr)对(111)面的InP晶片进行腐蚀处理。 实验结果显示，通过优化腐蚀条件，能够有效地实现(100)和(111)P面InP的腐蚀，以及对InP(111)In面的CH腐蚀。研究人员观察到单晶中出现了线状蚀坑、环状蚀坑、位错排列以及小角度晶界等各种类型的缺陷，这些缺陷的形貌清晰可见。论文通过对这些缺陷的形态和分布的详细描述，深入探讨了其形成机制，这对于理解和改进InP单晶材料的制备过程以及提高其在微电子学与固体电子学领域的应用性能具有重要意义。 论文的研究成果基于高校博士学科点专项科研基金和国家自然科学基金的支持，表明了作者团队在新型电子材料与器件领域的重要研究贡献。此外，作者们还提供了他们的联系信息，以便于同行和有兴趣的读者进一步交流和合作。 该论文不仅提供了湿法腐蚀磷化铟单晶的实践方法，还为微电子学和固体电子学领域的学者们提供了一个关于如何控制和优化半导体材料表面处理的关键技术参考，对于推动相关领域的发展具有实际价值。通过这篇论文，读者可以了解到InP单晶湿法腐蚀工艺的最新进展和技术细节，对于从事微电子材料制备或器件研发的科研人员来说是一份不可多得的参考资料。