2N3866: 高效率VHF/UHF NPN晶体管技术规格

"2N3866 是一款由Silicon NPN材料制成的晶体管，封装在TO-39外壳中，适用于VHF（甚高频）和UHF（特高频）设备。这款晶体管主要设计用于放大器、预驱动、驱动和输出级的电路，同时也能胜任振荡器和频率倍增器的功能。其特性包括在400MHz时具有28Vdc的规格，最大输出功率为1.0瓦，最小增益为10分贝，效率达到45%，并且具有800MHz的电流增益带宽产品。" 2N3866晶体管的绝对最大额定值如下： - 集电极-发射极电压 (VCEO)：30Vdc - 集电极-基极电压 (VCBO)：55Vdc - 发射极-基极电压 (VEBO)：3.5Vdc - 集电极电流 (IC)：400mA - 总设备耗散功率 (PD)：在25°C时为5.0瓦，每升高1°C会减少28.6mW 电气规格（在25°C下）： - 静态（关断）参数包括但不限于集电极-发射极反向饱和电流 (BVCER) 和集电极-基极反向击穿电压 (BVCEO)，这些参数对于理解晶体管在非导通状态下的性能至关重要。 此外，这款晶体管适用于低功耗射频和微波离散应用，提供高效能解决方案。制造商提供了联系方式，方便用户查询2N3866/2N3866A的供应商。 2N3866的性能特点使其在无线电通信、无线网络、电视接收、移动通信设备以及其他需要处理VHF和UHF频段信号的电子设备中广泛使用。其高效率和良好的增益特性使其在放大信号或驱动其他组件时表现出色，而800MHz的电流增益带宽产品则意味着它在高频范围内的表现尤为突出，能够处理快速变化的信号。 2N3866是一款高性能的VHF/UHF晶体管，设计用于需要高效率和良好增益的场合，尤其在射频和微波领域有着广泛的应用。其TO-39封装确保了足够的散热能力，以支持其在最大功率下的稳定工作。在实际应用中，设计师需要根据具体电路的需求，结合2N3866的电气特性来正确选择和使用这款晶体管。