FDB047N10-VB：100V N沟道低热阻TrenchFET技术晶体管

"FDB047N10-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO263封装，适用于低热阻应用。它经过100%栅极电荷测试，并具有良好的电气特性，如100V的漏源电压（VDS）、低导通电阻（RDS(on)）和高连续漏电流（ID）。该器件适合在125°C的工作温度下持续工作，并且在脉冲条件下能承受更高的瞬时电流。其绝对最大额定值包括100V的漏源电压、±20V的栅源电压以及375W的最大功率损耗。此外，其热性能表现出色，具有40°C/W的结壳热阻（RthJC）和140°C/W的结到环境热阻（RthJA）。" 详细知识点： 1. **TrenchFET技术**：FDB047N10-VB采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在MOSFET的硅片上挖掘沟槽来形成沟道，以实现更低的导通电阻和更小的尺寸，从而提高效率和功率密度。 2. **封装类型**：TO263封装是一种常见的表面安装封装，也被称为D2PAK，它具有良好的热性能，适合于需要高效散热的应用。 3. **电气特性**： - **VDS**: 漏源电压为100V，这意味着MOSFET能在100V的电压下正常工作，不致损坏。 - **RDS(on)**: 导通电阻是衡量MOSFET在开启状态下的内阻，低RDS(on)意味着更低的功耗和更高的效率。 - **ID**: 连续漏电流，表明在特定条件下MOSFET可以持续承载的最大电流。在25°C时为100V，175°C时为87A。 4. **脉冲和瞬态电流能力**：FDB047N10-VB能够处理脉冲漏电流IDM达到440A，以及重复雪崩电流IAR达到75A，这使得它适合于需要短时间大电流的应用。 5. **安全操作区（SOA）**：MOSFET的SOA曲线提供了安全工作条件的限制，以防止过压或过流导致的损坏。用户需要参考SOA曲线来确定器件在不同工作条件下的安全工作范围。 6. **热性能**：器件的最大功率损耗为375W，但实际工作时应确保不超过3.75W（当环境温度为25°C时）。RthJC和RthJA参数是评估器件散热性能的关键指标，数值越低，散热能力越强。 7. **工作温度范围**：FDB047N10-VB的工作结温与存储温度范围为-55°C到175°C，保证了在宽温范围内稳定工作。 8. **应用场合**：由于其高性能和耐高温特性，这款MOSFET常用于电源管理、开关电源、电机驱动和其他需要高效、高可靠性功率转换的领域。 9. **制造商信息**：VBsemi是一家提供此类产品的公司，提供技术支持和产品数据手册，用户可以通过服务热线或网站获取更多信息。 FDB047N10-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于需要低热阻和高效能的电子设备中。