FDB86102LZ-VB: N沟道TO263封装高效MOS管特性与规格
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更新于2024-08-03
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FDB86102LZ-VB是一款采用N沟道TO263封装的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它在现代电子设计中扮演着关键角色。这款MOSFET具有以下主要特点:
1. **环保材料**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,体现了对环境保护的重视。
2. **封装形式**:采用表面安装技术(SMT)以及低 profile 的通孔式设计,便于集成到各种小型化电路板上。
3. **批量生产**:适用于tape and reel包装方式,适合大规模生产。
4. **动态dv/dt耐受性**:能够处理快速电压变化,适用于高频开关应用。
5. **高温工作**:可以在150°C的环境下稳定运行,确保在严苛条件下仍能保持性能。
6. **快速切换特性**:由于其高速响应,使得信号传输和控制更为迅速。
7. **全 Avalanche 评级**:具有全面的过电压保护能力,能在短时间内承受高能量冲击。
8. **符合RoHS指令**:遵循2002/95/EC指令,确保了产品的无铅环保和电磁兼容性。
**参数概览**:
- **最大集电极-源极电压(VDS)**:100V,确保了设备的高压操作范围。
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V,提供了宽广的电压调节范围。
- **静态漏电流(Qg)**:在VGS=10V时,最大值为70nC,表示控制电流的能力。
- **栅极-漏极饱和电荷(Qgs)**:13nC,衡量在高栅压下的存储能力。
- **栅极-漏极导通电荷(Qgd)**:39nC,涉及动态行为中的漏电流。
**极限参数**:
- **连续漏电流(ID)**:在25°C下,当VGS=10V时,最大为70A;在100°C下,略有降额。
- **脉冲漏电流(IDM)**:峰值为250A,适用于短时间大电流需求。
- **线性降额因子**:1.0W/°C,表示温度上升时功率处理能力会下降。
- **单次脉冲雪崩能量(EAS)**:580mJ,表示一次极端情况下的能量吸收能力。
- **雪崩电流(IAR)**:20A,为雪崩击穿时的最大电流。
- **重复雪崩能量(EAR)**:13mJ,反映了设备在重复操作下的抗冲击能力。
- **最大功率损耗**:考虑温度影响,功率损耗限制明确。
FDB86102LZ-VB是一款高性能、环保且可靠的N沟道MOSFET,适用于各种需要快速切换、高温工作及严格安全标准的应用场合,如电源管理、电机驱动和信号处理等。在选择和使用该型号MOSFET时,应根据具体设计要求注意其工作条件下的电流、电压和温度限制。
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