FDB86102LZ-VB: N沟道TO263封装高效MOS管特性与规格

FDB86102LZ-VB是一款采用N沟道TO263封装的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它在现代电子设计中扮演着关键角色。这款MOSFET具有以下主要特点： 1. **环保材料**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，体现了对环境保护的重视。 2. **封装形式**：采用表面安装技术(SMT)以及低 profile 的通孔式设计，便于集成到各种小型化电路板上。 3. **批量生产**：适用于tape and reel包装方式，适合大规模生产。 4. **动态dv/dt耐受性**：能够处理快速电压变化，适用于高频开关应用。 5. **高温工作**：可以在150°C的环境下稳定运行，确保在严苛条件下仍能保持性能。 6. **快速切换特性**：由于其高速响应，使得信号传输和控制更为迅速。 7. **全 Avalanche 评级**：具有全面的过电压保护能力，能在短时间内承受高能量冲击。 8. **符合RoHS指令**：遵循2002/95/EC指令，确保了产品的无铅环保和电磁兼容性。 **参数概览**： - **最大集电极-源极电压（VDS）**：100V，确保了设备的高压操作范围。 - **栅极-源极电压（VGS）**：±20V，提供了宽广的电压调节范围。 - **静态漏电流（Qg）**：在VGS=10V时，最大值为70nC，表示控制电流的能力。 - **栅极-漏极饱和电荷（Qgs）**：13nC，衡量在高栅压下的存储能力。 - **栅极-漏极导通电荷（Qgd）**：39nC，涉及动态行为中的漏电流。 **极限参数**： - **连续漏电流（ID）**：在25°C下，当VGS=10V时，最大为70A；在100°C下，略有降额。 - **脉冲漏电流（IDM）**：峰值为250A，适用于短时间大电流需求。 - **线性降额因子**：1.0W/°C，表示温度上升时功率处理能力会下降。 - **单次脉冲雪崩能量（EAS）**：580mJ，表示一次极端情况下的能量吸收能力。 - **雪崩电流（IAR）**：20A，为雪崩击穿时的最大电流。 - **重复雪崩能量（EAR）**：13mJ，反映了设备在重复操作下的抗冲击能力。 - **最大功率损耗**：考虑温度影响，功率损耗限制明确。 FDB86102LZ-VB是一款高性能、环保且可靠的N沟道MOSFET，适用于各种需要快速切换、高温工作及严格安全标准的应用场合，如电源管理、电机驱动和信号处理等。在选择和使用该型号MOSFET时，应根据具体设计要求注意其工作条件下的电流、电压和温度限制。