英飞凌IPD90N04S4L-04功率晶体管特性与规格

IPD90N04S4L-04是英飞凌（INFINEON）推出的一款OptiMOS®-T2 Power-Transistor，这是一款专为高性能应用设计的N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。该芯片具有以下主要特点： 1. **技术特性**： - **N沟道增强模式**：适合于电压控制下的电流开关应用。 - **AEC资格认证**：符合工业电子协会（Automotive Electronics Council, AEC）标准，适用于汽车电子系统。 - **高温工作能力**：最高峰再流温度可达260°C，且在175°C下仍可稳定运行。 - **环保产品**：RoHS合规，符合绿色电子产品的标准。 - **安全特性**：经过100%雪崩测试，确保在高电流冲击下的可靠性能。 2. **电气参数**： - **连续电流**（ID）在25°C和10V的VGS条件下，最大值为90A；在100°C时，下降到84A。 - **脉冲电流**（ID,pulse）在25°C下，允许的最大峰值为360A。 - **单脉冲雪崩能量**（EAS）在ID=45A时，为95mJ。 - **雪崩电流**（IAS）未指定，但表示为一个数值，约为90A。 - **栅极源极电压范围**（VGS）为-20V至+16V。 - **最大集电极-源极电压**（VDS）为40V，最大集电极导通电阻（RDS(on)）为3.8mΩ。 - **功率消耗**（Ptot）在25°C下，最大为71W。 3. **热性能**： - **热阻**：Junction-case热阻（RthJC）没有给出具体值，但表示为2.1K/W；而对于SMD版本的热阻（RthJA），典型值为62℃/W。 - **温度范围**：操作和存储温度范围为-55°C至+175°C，符合IEC气候类别55/175/56。 4. **封装和标记**： - **封装类型**：采用PG-TO252-3-313封装。 - **型号标识**：IPD90N04S4L-04。 - **标记**：除了型号外，还包含4N04L04作为额外标识。 - **版本信息**：这是Rev.1.0，发布日期为2010年4月6日。 这款IPD90N04S4L-04 MOSFET适合于那些需要高效率、小型化和低损耗的电路设计，特别是在汽车和工业应用中，其严格的AEC资格认证使其在严苛的环境条件下也能保持可靠性和稳定性。在选择和使用时，需注意其热管理要求，确保适当的散热措施。