西安电科大模拟电子技术复习题库详解

《模拟电子技术》复习题库涵盖了模拟电子技术这门课程的核心知识点，包括填空题和选择题两个部分。这些题目旨在帮助学生巩固和检验他们在课堂上学习到的基础理论和实践技能。 1. 填空题部分： - 在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。 - 场效应管根据结构可分为结型和绝缘栅型(MOS)两大类，其中MOS场效应管因其控制方式的不同又分为增强型和耗尽型。 - 为了匹配信号源和负载的阻抗，可以采用共射、共集或共基放大电路作为媒介。 - 在多级放大器中，中间级的电阻充当上一级的负载电阻，实现信号的电压放大。 - 集成运放应用在线性放大状态时，常常需要引入负反馈来稳定增益和改善性能。 - 图2-1至图2-6中的三极管状态判断涉及到基极、发射极、集电极的电位关系，通过分析这些电压可以确定管子的工作状态。 - 正弦波振荡电路的基本组成部分包括振荡器、放大器、选频网络和电源。 2. 选择题部分： - 选择二极管的单向导电性用于整流电路，将交流电转换为直流电。 - P型半导体通过掺入三价元素（如硼）形成，以提供额外的空穴。 - 图2-3中的漏极特性曲线决定了场效应管的类型，沟道增强型MOS管的漏极电压随着栅极电压增加而增加，而沟道耗尽型MOS管则在栅极电压达到一定值后电压不再上升，对应于选项BDN。 - 图2-1中的晶体管极性判断涉及各个电位之间的关系，根据给出的数据可以确定各脚的功能，具体答案需要根据数据进行计算或查阅。 这些题目覆盖了半导体基本原理、场效应管的分类与工作原理、放大电路的组态、正弦波振荡电路的设计以及基本的晶体管识别等内容，对于准备西安电子科技大学《模拟电子技术》考试的学生来说，这些都是关键的知识点。通过解答这些问题，考生可以提升自己的理解能力和实际操作能力。