TMS320C5410烧录Flash实现并行自举引导

"嵌入式系统/ARM技术中的TMS320C5410通过烧写Am29LV200B Flash实现并行自举引导，涉及到嵌入式系统设计、DSP处理以及Flash存储器的应用" TMS320C5410是一款高性能的数字信号处理器(DSP)，在嵌入式系统中广泛应用。本文主要探讨如何在该处理器环境中，利用Am29LV200B Flash存储器进行程序烧写，并实现并行自举引导功能。 Am29LV200B是由AMD公司制造的一款Flash存储器，具备3V单电源供电、高速擦写以及内建编程和擦除算法等特性，非常适合在数字信号处理系统中作为程序存储器使用。该Flash的128K×16位容量在C5410系统中被映射到片外数据存储空间的0x8000到0xFFFF地址范围，采用16位并行方式，允许快速读取和写入数据。 在嵌入式系统中，程序通常需要在上电时自动执行，这就需要实现自举引导。并行自举引导是指处理器在启动时，通过数据总线直接从Flash中读取并执行代码，无需额外的引导加载程序。对于C5410，上电加载程序时，会从FlashROM的第3页开始执行。 为了实现这个功能，首先需要了解和掌握Am29LV200B的编程和操作命令。这些命令包括编程、擦除和状态查询等，它们通过写入Flash的命令寄存器来触发。例如，编程命令可能需要先设置适当的预编程电压，然后向指定地址写入数据；擦除操作可能涉及整个扇区或单个块；状态查询则用来确认操作是否完成，确保安全可靠的编程过程。 在烧写过程中，通常使用专用的编程工具或开发环境，如TI的Code Composer Studio (CCS)。开发者需要将编译后的二进制代码映射到Flash的正确地址，然后执行烧写操作。烧写过程应遵循特定的步骤，包括初始化、擦除、编程和验证。初始化阶段设置Flash的配置，擦除操作清空指定区域，编程阶段将程序数据写入，最后验证确保数据正确写入且没有损坏。 在成功烧写并验证后，C5410在上电时会自动从Am29LV200B的指定地址开始执行用户程序，实现并行自举引导。这一过程对于快速启动系统和减少外部硬件需求至关重要，尤其适用于实时性和效率要求高的应用。 总结来说，本文详细介绍了如何在TMS320C5410系统中使用Am29LV200B Flash存储器，通过烧写和并行自举引导技术，实现嵌入式系统的高效启动和程序运行。这种方法不仅简化了系统设计，也提高了系统的稳定性和可靠性。