TMS320C5410 Flash烧录与并行自举引导实操

在TMS320C5410平台上实现Flash烧写和并行自举引导是一个关键步骤，尤其对于基于DSP（数字信号处理器）的应用。本文主要关注于使用AMD公司的Am29LV200B Flash存储器，这是一种具有3V单电源供电、JEDEC标准兼容和内置编程算法的非易失性存储器，适用于对低功耗、大容量和快速擦写性能有高要求的系统。 1.1 Am29LV200B Flash存储器概述 Am29LV200B Flash的特点包括：它支持单电源工作，能够通过内部电路提供编程和擦除操作所需的高电压；编程和擦除操作均通过写入特定命令寄存器来触发，内部算法负责实际执行，用户无需详细了解底层细节；它允许对单个扇区进行独立操作，不影响其他数据区域。 文章中，128KB的Flash被映射到C5410的片外数据空间，地址范围为0x8000~0xFFFF，利用16位并行接口进行引导装载。为了优化加载效率，通常选择第三页作为上电加载程序的位置，共32KB。 1.2 Flash存储器操作命令 关键的操作命令包括编程、擦除、读取和复位。编程命令用于将数据写入Flash，需要四个总线周期，其中两个用于解锁，第三个建立编程命令，最后一个是写入数据。擦除命令则是将“0”变为“1”，与编程相反。在编写代码时，必须确保按照正确的顺序执行这些操作，以防止意外的Flash复位。 编程示例代码中，使用宏定义简化了循环写Flash的过程，例如，针对地址0x8555，需要确保正确的偏移地址计算。通过宏，程序员可以简洁地处理每个地址的数据写入，提高编程效率。 总结来说，本文提供了在TMS320C5410 DSP环境中烧写Am29LV200B Flash存储器的详细过程，包括存储器的配置、操作命令的使用以及如何实现在设备上电时并行自举引导功能。这对于开发人员理解和实现基于TMS320C5410的嵌入式系统项目至关重要，确保了系统的稳定性和可靠性。