低温阻抗P沟道TO252封装MOS管FDD4243-VB技术参数概述

FDD4243-VB P沟道TO252封装MOS管技术详解 FDD4243-VB是一种P沟道TO252封装MOS管，属于TrenchFET®powerMOSFET家族。该器件具有低热阻抗package，100% Rg和UI测试，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。 特性 * TrenchFET®powerMOSFET技术，提供高效率和高可靠性的性能 * 低热阻抗package，提高器件的散热能力 * 100% Rg和UI测试，确保器件的可靠性和稳定性 电气特性 * 漏极-源极电压（VDS）：-40V * 电阻（RDS(on)）： + 在VGS=-10V时：0.012Ω + 在VGS=-4.5V时：0.015Ω * 漏极电流（ID）：-50A 绝对最大额定值 * 漏极-源极电压（VDS）：-40V * 门-源极电压（VGS）：±20V * 连续漏极电流（ID）：-50A * 连续源极电流（IS）：-50A * 脉冲漏极电流（IDM）：-200A * 单脉冲avalanche电流（IAS）：-40A * 单脉冲avalanche能量（EAS）：80mJ * 最大功率损耗（PD）：3W 热阻抗 * 焊盘热阻抗（RthJA）：50°C/W * 焊盘-壳体热阻抗（RthJC）：1.1°C/W 工作温度 * 工作junction温度（TJ）：-55°C to +175°C * 存储温度（Tstg）：-55°C to +175°C 应用场景 FDD4243-VB P沟道TO252封装MOS管适用于各种需要高效率和高可靠性的应用场景，如电源管理、电机控制、照明系统等。 技术优势 FDD4243-VB P沟道TO252封装MOS管具有以下技术优势： * 高效率：TrenchFET®powerMOSFET技术提供高效率和高可靠性的性能 * 低热阻抗：低热阻抗package提高器件的散热能力 * 高可靠性：100% Rg和UI测试确保器件的可靠性和稳定性 FDD4243-VB P沟道TO252封装MOS管是一种高效率、可靠性高的器件，适用于各种需要高效率和高可靠性的应用场景。