FML8244G-VB: 20V SOT23 N-Channel MOSFET with Low RDS(on) and RoH...

本文档介绍的是FML8244G-VB一款采用SOT23封装的高性能N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。该器件是一款专为低功耗应用设计的Trench FET® Power MOSFET，具有以下主要特性： 1. **环保合规**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，满足RoHS指令2002/95/EC的要求。 2. **沟道结构**：N-Channel型，工作在高达20V的 drain-source电压（VDS）下，提供6A的连续漏极电流（ID）。 3. **性能指标**： - 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) 为24mΩ，显示出优秀的开关效率。 - Vth（阈值电压）范围为0.45~1V，这意味着它可以在不同的栅极电压下实现高效的导通和截止。 - 提供了不同工作条件下的电流限制，如在TJ=150°C下连续漏极电流的限制（ID）以及脉冲电流限制（IDM）。 4. **热管理**： - 针对功率损耗，最大允许的功率耗散在TC=70°C下为2.1W，而在25°C环境下，持续功率耗散限制为1.3W。 - 操作和储存温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保了器件在极端环境下的可靠工作。 5. **封装与应用**： - SOT23封装，适合小型化电路设计，特别适合于便携式应用中的负载开关和DC/DC转换器等场合。 - 产品在1"x1" FR4板上表面安装，且进行了100% Rg测试，确保了高可靠性。 6. **注意事项**： - 数据基于室温25°C，对于某些参数有温度限制（如TC=70°C），并且在特定条件下（如包装配限、时间常数t=5s）存在差异。 总结来说，FML8244G-VB是一款高性能、低功耗的N-Channel MOSFET，适合各种工业和消费电子设备中的电源管理和负载控制，尤其在小型化设计中提供了良好的性价比和热管理特性。在选择和使用时，需确保遵循制造商提供的各项参数限制和推荐的操作条件。