构建24KB内存：2732 EPROM与6116 SRAM组合解析

"微型计算机原理及应用的课程内容，由刘廷章教授讲解，涵盖了微机存储系统的层次结构，半导体存储器的分类、一般结构以及主要技术指标。讲解了如何用2732 EPROM和6116 SRAM芯片构建16KB ROM + 8KB RAM的内存空间，涉及位/字/字位扩展和地址线的分配，并介绍了存储器的选通和读写过程。" 在微机系统中，内存空间的形成是关键的一环，尤其在8位微机系统中，单片芯片的容量往往无法满足需求。因此，CPU需要通过连接多片存储芯片来扩展内存空间。这个过程涉及到位扩展、字扩展和字位扩展的概念。例如，在给定的示例中，为了构建16KB的ROM和8KB的RAM，共计24KB的内存空间，需要使用2732 EPROM和6116 SRAM芯片。 2732 EPROM是一种4KB容量的芯片，拥有12根地址线（A0到A11）和8根数据线，适合用于存储程序。而6116 SRAM是一种2KB容量的芯片，有11根地址线（A0到A10）和8根数据线，适用于存储临时数据。为了得到所需的内存配置，我们需要4片2732芯片来构建16KB的ROM，以及4片6116芯片来构建8KB的RAM。地址线的使用有所不同，2732使用A0到A11进行片内寻址，而6116则使用A0到A10进行片内寻址。此外，A12到A19将连接到138译码器，用于片选8片不同的芯片，确保每片芯片都能被独立访问。 微机的存储系统通常包括多个层次，从CPU内部的高速寄存器、缓存，到主板上的主存储器，再到外部的辅助存储器，如硬盘等。其中，内存（主存储器）因其容量小但速度快，用于存放正在运行的程序和数据。而外存（辅助存储器）虽然容量大但速度慢，常用于长期存储不经常使用的程序和数据。 半导体存储器根据制造工艺分为双极型和MOS型，根据工作方式分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器）。RAM又可以细分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM），两者在速度、功耗和容量上有明显区别。ROM则包括掩模ROM、PROM、EPROM和EEPROM，它们在可编程性和可擦除性上有所差异。 存储器的结构主要包括地址寄存器、译码驱动电路、读写电路和存储元。地址寄存器用于存储地址，译码驱动电路将地址解码以选择特定的存储单元，读写电路负责数据的读取和写入，而存储元则构成了存储器的基础存储单元。存储容量由存储单元的数量和每个单元的位数决定，存取时间是衡量存储器性能的重要指标，它定义了读取或写入数据所需的时间。 总结起来，微机系统的内存空间形成是一个涉及多种存储芯片、地址线分配和译码逻辑的过程，同时，理解半导体存储器的分类和技术指标对于优化系统性能至关重要。通过这样的组合和扩展，可以构建出满足不同需求的内存架构。