BQ78350数据闪存快速编程与校准方法详解

本资源是一份关于BQ78350芯片的详细参考文件，主要讨论了如何高效、经济地进行数据闪存（DataFlash）编程和校准。BQ78350是一款专用于低功耗应用的充电管理器，其设计采用了革新技术与架构，旨在降低生产成本并简化编程流程。 文件中提到的关键知识点包括： 1. **电压分压器编程**： - 通过设置子类ID（SubclassID）为0x68（十六进制的104），并利用BlockDataControl命令（0x61）写入0x00启用块数据闪存控制。 - 使用DataFlashClass命令（0x3E）写入校准子类（Calibration Subclass），访问寄存器子类。 - 要访问特定偏移地址的数据，例如电压分压器（偏移14位），需要使用DataFlashBlock命令（0x3F）指定0x00作为地址，因为电压分压器位于第一块闪存区域。 - 读取数据时，通过地址0x40加上偏移值对32取模，如阅读旧电压分压器（rd 0x4E old_Voltage Divider_MSB）和（rd 0x4F old_Voltage Divider_LSB）。 - 写入新数据时，也是同样的操作，但地址后跟新值，如（wr 0x4E new_Voltage Divider_MSB）和（wr 0x4F new_Voltage Divider_LSB）。 - 数据实际写入数据闪存需在正确计算整个块（0x40至0x5F）的校验和后，写入BlockDataChecksum（0x60）。 - 校验和计算方法是取8位块数据（0x40至0x5F）逐字节求和，然后减去1，再取模256得到新的校验和。 2. **个性化闪存位置更新**： - 在生产过程中，可以像处理电压分压器一样更新特定的闪存位置，如序列号、批号和日期等设备标识信息。 3. **生产流程策略**： - BQ34Z100-G1的生产流程分为8个步骤： - 第一步：将数据闪存图像写入每个设备。 - 第二步：可选地校准电压（针对≤5V的应用）。 - 第三步：更新单个闪存位置，如个性化数据。 这份文档不仅提供了编写代码和流程图的示例，还指导了如何准备优化后的金质样本文件（.dffs、.bqfs或.srec），该文件将在打包制造商的生产线上传输到所有BQ34Z100-G1设备上。整体来说，这份文档是针对BQ78350芯片生产环境中的高级编程和校准技术指南，旨在提高效率并降低成本。