NCE6080AK: 60V/80A N沟道MOSFET with Low RDS(ON) & Advanced Trench ...

NCEpower-NCE6080AK是一款60V、80A的N沟道增强模式功率MOSFET，由Wuxi NCEPower Co., Ltd.设计和制造。该器件采用了先进的沟槽工艺和设计理念，旨在提供低栅极充电和出色的开关性能。其主要特点包括： 1. 高电压和电流能力：NCE6080AK的最大集电极-源极电压（VDS）可达60V，持续集电极电流（ID）为80A。在标准工作条件下，它能保持低的典型RDS(ON)，即在VGS=10V时约为6.5毫欧姆，而在VGS=4.5V时约为7.5毫欧姆。 2. 高密度设计：通过优化的细胞设计，NCE6080AK实现了超低的Rdson，有利于降低功率损耗。 3. 可靠性保障：该器件经过严格的 avalanche voltage 和 current 全面特性测试，确保了在过载条件下的稳定性和一致性，同时具有高的抗浪涌能力（EAS）。 4. 散热优化：TO-252-2L封装设计有助于良好的热传导，适用于那些对散热有较高要求的应用场景。 5. 广泛适用性：NCE6080AK适用于脉宽调制(PWM)和负载开关等应用，且已通过100%的UISTESTED和100%的ΔVds TESTED，确保了产品的可靠性和稳定性。 6. 电气参数：绝对最大额定值包括VDS=60V，VGS的偏置范围为±20V，连续工作的最大集电极电流在室温下为80A，而在100℃时降为56.5A。 7. 封装和标识：该产品采用TO-252-2L封装，具有清晰的标记和引脚分配，便于安装和识别。 总结来说，NCE6080AK是一款高性能的MOSFET，适合在高电压、大电流的电子设备中使用，尤其在需要高效散热和良好可靠性的工业级应用中，如电机控制、电源转换等。选择和使用该器件时，应确保遵循制造商提供的极限参数和操作指南，以确保最佳性能和长期稳定运行。