NCE55P04S-VB: -60V 2P沟道SOP8 MOSFET特性与应用解析

NCE55P04S-VB是一款由VBsemi公司生产的双极性P沟道60伏特耐压MOSFET，采用先进的TrenchFET技术，具备环保特性，不含卤素。该器件经过严格的100% UISTested质量保证，确保了其性能的可靠性。 这款MOSFET的主要特性包括： 1. 耐压：最大Drain-Source电压（VDS）可达-60V，确保在高电压应用环境中稳定工作。 2. 低阻抗：在10V和4.5V的栅源电压（VGS）下，RDS(ON)分别为58mΩ和70mΩ，表现出良好的开关性能。 3. 阈值电压：-1V到-3V的可调阈值电压范围（Vth），适应不同的控制需求。 4. 封装：采用小型SOP8封装，适合表面安装在1"x1" FR4板上。 在不同工作条件下的电流规格如下： - 持续导通电流（ID）在室温下最高可达到-32A，在70°C时限制在-5.3A（持续）或-5.0A（脉冲），分别对应于-10V和-4.5V的栅源电压。 - 连续源漏电流（IS）在25°C时为-4.1A，而在70°C时为-2.0A。 - 单次脉冲雪崩电流（IAS）为-20A，单脉冲雪崩能量（EAS）为20mJ，提供过载保护。 功率参数包括最大功率耗散，如在25°C时为4.0W，70°C时为2.5W，以及短路保护下的限制。 温度管理方面，该MOSFET的工作温度范围是-55°C至150°C，junction-to-ambient热阻（RthJ）在10秒内具有典型和最大值。这些特性使其适用于各种负载开关应用，特别是那些对功率密度和散热有较高要求的系统。 在实际应用中，用户需注意产品限制条件，例如连续导通电流在特定温度下可能受到封装限制。在选择和使用NCE55P04S-VB时，务必参考制造商提供的数据表和操作指南，以确保安全和优化性能。