英飞凌IPG20N04S4-08A OptiMOS™-T2 功率晶体管技术规格

"IPG20N04S4-08A是INFINEON英飞凌生产的一款电子元器件芯片，属于OptiMOS™-T2 Power Transistor系列。这款双通道N沟道正常水平增强模式的MOSFET芯片，通过了AEC-Q101汽车级质量认证，适用于高温工作环境，符合RoHS绿色产品标准，并经过100%雪崩测试。其最大额定值、电气特性以及热性能是其主要特点。" IPG20N04S4-08A的主要特性包括： 1. 双通道N沟道设计：该芯片具备两个独立的N沟道MOSFET，可在单个封装内控制两个电流路径。 2. AECQ101合格认证：满足汽车行业的高质量标准，确保在恶劣环境下的可靠性能。 3. MSL1级别：具有优异的湿度敏感度等级，允许在高达260°C峰值回流温度下工作。 4. 175°C的工作温度：能在较宽的温度范围内稳定运行。 5. RoHS兼容：符合环保要求，不含有害物质。 6. 100%雪崩测试：确保芯片在过载条件下的安全性。 7. 自动光学检测可行性（AOI）：适合自动化生产线的检测需求。 关键参数包括： - 连续漏极电流（ID）：在25°C和10V栅极电压下，单通道的最大连续电流为20A，在100°C和10V栅极电压下仍可达到20A。 - 脉冲漏极电流（ID,pulse）：峰值脉冲电流高达80A。 - 雪崩能量（EAS）：在10A电流下，单脉冲雪崩能量为230mJ。 - 雪崩电流（IAS）：单脉冲最大雪崩电流为15A。 - 栅源电压（VGS）：允许的最大栅源电压为±20V。 - 总功率损耗（Ptot）：在25°C时，单通道的最大功率损耗为65W。 - 结壳热阻（RthJC）：未提供具体数值，但这是衡量芯片散热能力的重要指标。 - 最大漏极-源极电压（VDS）：额定最大值为40V。 - 最大漏极-源极导通电阻（RDS(on),max）：在20A的电流下，最大导通电阻为7.6mΩ。 此外，产品的封装类型为PG-TDSON-8-10，市场标记为4N0408，表明其尺寸和引脚配置。这些详细信息对于电路设计和应用工程师来说至关重要，他们可以基于这些数据评估芯片是否适合他们的特定应用需求，如电源管理、开关电源、电机驱动和其他高效率的功率转换系统。