英飞凌IPG20N04S4L-08 OptiMOS™-T2 功率晶体管技术规格

"IPG20N04S4L-08是英飞凌公司生产的一款OptiMOS™-T2 Power Transistor，它是一款双通道N沟道逻辑电平增强模式的电子元器件芯片，适用于汽车电子领域，符合AECQ101标准，并且满足RoHS合规的绿色产品要求。该芯片可承受高达260°C的峰值再流温度，正常工作温度范围为-55°C至+175°C。在25°C时，单通道连续漏电流ID最大为20A，脉冲漏电流ID,pulse可达80A，雪崩能量EAS为145mJ，单脉冲雪崩电流IAS限制在15A，栅极源电压VGS为±16V，功率耗散Ptot在25°C时为54W。此外，芯片采用PG-TDSON-8-4封装，其热特性包括结壳热阻RthJC为2.8 K/W，而SMD版本在PCB上的热阻RthJA则是最小值。" IPG20N04S4L-08是一款高性能的电源晶体管，主要特点包括： 1. **双通道N沟道逻辑电平增强模式**：这意味着该芯片具有两个独立的N沟道MOSFET，可以在低电压控制下实现高效开关操作，适合于驱动高电流负载。 2. **AECQ101合格认证**：这是汽车行业质量标准，表明这款芯片符合汽车电子设备的严格质量与可靠性要求，适用于车载应用。 3. **高温耐受能力**：芯片可承受260°C的峰值再流温度，以及175°C的工作温度，适合于高温环境下的应用。 4. **RoHS合规**：作为一款绿色产品，IPG20N04S4L-08不含有铅和其他有害物质，符合环保要求。 5. **强大电气性能**：在25°C时，单通道最大连续漏电流ID为20A，确保了高电流承载能力。同时，通过100%的雪崩测试，保证了芯片在过载条件下的稳定性。 6. **良好的热管理**：芯片的热特性包括低的结壳热阻RthJC（2.8 K/W），有助于快速散热，防止过热。而SMD版本的热阻RthJA则提供了一种优化热性能的解决方案。 7. **封装信息**：采用PG-TDSON-8-4封装，这种封装设计有利于减小体积，提高集成度，同时也有利于散热。 8. **参数规格**：如最大漏源电压VDS为40V，最大导通电阻RDS(on)为8.2mΩ，以及功率耗散Ptot的最大值54W等，这些参数定义了芯片在不同工况下的工作能力和效率。 IPG20N04S4L-08是一款高性能、高可靠性的双通道N沟道MOSFET，适用于需要高效能、高温稳定性和严格质量控制的汽车电子或工业应用。其良好的电气特性和热管理能力使其成为高电流驱动和电源管理的理想选择。